double arrow

В г. п. решетке .чередование слоев


Дефекты упаковки

В чередовании плотноупакованных слоев возможны отступления от того порядка, который свойствен г. п. и г. ц. к. решеткам. Прослойку с нарушенным чередованием плотноупакованных слоев называют дефектом упаковки.

Дефект упаковки можно создать разными путями: сдвигом в плоскости плотнейшей упаковки, удалением или, наоборот, внедрением одной плотноупакованной плоскости (или части ее) и другими способами.

Рассмотрим несколько примеров дефектов упаковки в г. п. и г. ц. к. решетках.

можно получить, если один из слоев А со всеми вышележащими слоями сдвинуть так, чтобы атомы этого слоя попали в соседние лунки (большие буквы — чередование слоев после сдвига, малые — до сдвига; плоскость сдвига обозначена стрелкой). При этом атомы А переходят в положение С, а атомы В — в положение А (см. также стрелки на рис. 53, а). В результате около плоскости сдвига получается чередование слоев ABC и ВСА (отмечено скобкой |¯|), свойственное г. ц. к. решетке. Ниже плоскости сдвига остается нетронутым чередование АВАВАВ..., а выше появляется новое чередование САСАСА..., которое, также как и АВАВАВ..., характеризует г. п. решетку. Таким образом, рассматриваемый дефект упаковки в г. п. решетке является прослойкой г. ц. к. решетки. Это особенно наглядно демонстрирует расположение атомов в плоскости, перпендикулярной плоскости плотнейшей упаковки (рис. 55, а). Здесь между зигзагообразными рядами атомов видна прослойка с прямыми рядами, свойственными г. ц. к. решетке (ср. рис. 55, а с рис. 53, в и 54, в).




В г. ц. к. решетке чередование слоев

можно получить, если один из слоев В со всеми вышележащими слоями сдвинуть так, чтобы атомы этого слоя попали в соседние лунки (обозначения см. выше).

При этом атомы В переходят в положение С, атомы С — в положение А, атомы А — в положение В (см. также стрелки на рис. 54 а). В результате около плоскости сдвига получается чередование слоев САСА, свойственное г. п. решетке. Прослойка г. п. решетки в г. ц. к. решетке хорошо видна на рис. 55, б в виде зигзагообразного расположения атомов между их прямолинейными рядами (ср. рис. 55, б срис. 53, в и 54, в).

Если в г. ц. к. решетке изъять одну из плоскостей В (или часть ее) и сблизить по нормали две половинки кристалла, чтобы

В г. п. решетке недостаточно только изъять одну из плотноупакованных плоскостей и сблизить по нормали две половинки кристалла, так как при этом в соседнее положение попадают одинаковые плоскости (АА или ВВ) и упаковка не получается плотнейшей. Необходимо еще тангенциальное смещение одной части кристалла по отношению к другой. Например, если в г. п. решетке изъять плоскость В, произвести тангенциальное смещение и сближение по нормали двух половинок кристалла, то получим чередование слоев АВАВАСАСА.... Сдвиг был произведен так, что атомы А по одну сторону от плоскости сдвига попали в лунки С, а атомы В — в положение А. В результате в г. п. решетке образовалась прослойка ВАС г. ц. к. решетки. Если в г. п.







Сейчас читают про: