Подвижность дырок существенно меньше, чем подвижность электронов. Подвижность электронов и дырок в некоторых полупроводниках показана в таблице.
Полупроводники | Подвижность электронов м2/(В.с) | Подвижность дырок м2/(В.с) |
Ge | 0.380 | 0.180 |
Si | 0.135 | 0.050 |
GaAs | 0.820 | 0.040 |
InAs | 3.000 | 0.020 |
InSb | 7.000 | 0.400 |
Наибольшая подвижность была обнаружена в антимониде индия InSb и в арсениде индия InAs.
Примесная проводимость. Поставка электронов в зону проводимости и дырок в валентную зону может быть за счет примесей, котроые могут ионизоваться уже при низкой температуре. Энергия их активации значительно меньше энергии, необходимой для ионизации основных атомов вещества. Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости, занимают уровни в запретной зоне вблизи дна зоны проводимости. Они называются донорными. Примеси, захватывающие электроны из зоны проводимости, располагаются на уровнях в запретной зоне вблизи потолка валентной зоны и называются акцепторными. На рисунке показаны энергетические диаграммы полупроводника, содержащего донорные и акцепторные примеси.
|
|
Примеси с энергией Wo<0.1 эВ являются оптимальными. Их относят к "мелким" примесям. Мелкие уровни определяют электропроводность полупроводников в диапазоне температур 200-400 К, "глубокие" примеси ионизуются при повышенных температурах. Глубокие примеси, влияя на процессы рекомбинации, определяют фотоэлектрические свойства полупроводников. С помощью глубоких примесей можно компенсировать мелкие и получить материал с высоким удельным сопротивлением. Например, глубокими акцепторами можно полностью компенсировать влияние мелких донорных примесей.
В примесном полупроводнике взаимосвязь между количеством электронов и дырок подчиняется закону действующих масс n. p=ni2, где ni собственная концентрация. Таким образом, чем больше вводится электронов, тем меньше концентрация дырок. На рисунке на энергетической диаграмме (по Ш.Я.Коровскому) показаны донорные и акцепторные уровни различных примесей в германии и кремнии.
Общее выражение для удельной электрической проводимости полупроводника с примесями можно записать так
= oEXP (-Wo/2kT) + 1EXP(-Wo/2kT),
где первый член определяет собственную, а второй примесную проводимости.
3.2.2 Зависимость электропроводности от температуры