Зависимость концентрации носителей заряда от температуры. Для собственного полупроводника концентрация свободных носителей заряда в зависимости от температуры определяется выражением

Для собственного полупроводника концентрация свободных носителей заряда в зависимости от температуры определяется выражением

n=A^. EXP(-W_o/2kT),

где

· n - концентрация носителей заряда;

· W_o - ширина запрещенной зоны;

· k постоянная Больцмана;

· A константа, зависящая от температуры;

Для примесных полупроводников

n₁=B^. EXP( W_п/2kT),

где

· W_п - энергия ионизации примеси;

· В - константа, не зависящая от температуры.