2014-02-13
395
Под действием электрических полей валентные электроны могут переходить на незанятое место, что соответствует встречному перемещению дырок по кристаллу. При этом все рассмотренные в предыдущем разделе формулы, характеризующие движение свободного электрона справедливы и для движения дырки. Только надо сделать поправку на знак заряда. Подвижность дырок:
| (2.30) |
Следует отметить, что скорость электронов направлена против поля (от минуса к плюсу), а скорость дырок – по полю, от плюса к минусу.
Плотность дырочного тока:
| Jp= σp·E, | (2.31) |
где σp – дырочная проводимость (Ом∙см).
| |
| Рис. 2.11. | |
| (2.32) |
Рассеяние дырок будет проходить также на колебаниях решетки и заряженных примесях и дефектах. Ход температурной зависимости будет аналогичен:
 , 
| (2.33) |
где μpr – подвижность при рассеянии на решетке, μpi – подвижность при рассеянии на ионизированной примеси. Суммарная электропроводность материала определяется общим количеством электронов и дырок:
| σ = σn + σp = qμnn + qμpp = q(μnn + μpp). | (2.35) |
Плотность тока проводимости в кристалле будет равна:
| J = Jn + Jp = σE = (σn + σp)E = q(μnn + μpp)E. | (2.36) |
