2015-01-13
748
В зависимости от полярности и величины напряжений на электродах раз-
личают четыре режима работы транзистора:
Активный режим (АР) — эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный — в обратном.
Режим отсечки (РО) — оба перехода смещены в обратном направлении.
Режим насыщения (РН) — оба перехода смещены в прямом направлении.
Инверсный режим (ИР) — коллекторный переход смещен в прямом, а
эмиттерный – в обратном направлении.
Классификация режимов проводится по комбинации напряжений переходов. В схеме с ОБ напряжения переходов равны напряжению источников питания эмиттера (U э.б) и коллектора (U к.б).
В схеме с ОЭ напряжение на эмиттерном переходе определяется напряжением первого источника Uб.э = -Uэ.б, а напряжение коллекторного перехода зависит от обоих источников и по общему правилу определения разности потенциалов 
.
В схеме с ОК напряжение на коллекторном переходе определяется одним
источником 
, а напряжение на эмиттерном переходе зависит от обоих источников 
.
|
|
|
При включении транзисторов в схему один из его электродов является входным, второй – выходным, а третий – общим. На входной и выходной электроды подаются напряжения от внешних источников, отсчитываемые относительно общего электрода. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают схемы включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).
16. Статические характеристики транзистора с общей базой.
Статические характеристики транзистора отражают зависимость между
токами, проходящими в его цепях и напряжениями на электродах транзистора. За независимые переменные обычно принимают входной ток Iвх, выходное напряжение Uвых, а за зависимые – выходной ток Iвых и входное напряжение Uвх:
В схеме с ОБ транзистор имеет следующие характеристики:
- семейство входных (эмиттерных) характери-
стик.
- семейство выходных (коллекторных) характеристик.
- семейство характеристик прямой передачи.
- семейство характеристик обратной связи.
