double arrow

Архитектура ПЗУ-памяти


Простейшим примером энергонезависимой памяти является ROM (Read-Only Memory), известная также как ПЗУ (постоянное запоминающее устрой-ство). В такой памяти массив ячеек представляет собой набор проводников, некоторое из которых остаются целыми, а остальные разрушаются. Данные проводники, выполняющие роль элементарных переключателей, органи-зуются в матрицу путем подсоединения к линиям столбцов и строк (рис. 37). Замкнутому состоянию проводника можно присвоить значение логического нуля, а разомкнутому — логической единицы. Если теперь измерить напря-жение между одной из линий столбцов и строк (то есть получить доступ к определенной ячейке памяти), то его высокое значение (разомкнутое состо-яние проводника) соответствует логической единице, а нулевое (замкнутое состояние проводника) — логическому нулю.

Основным недостатком ПЗУ является невозможность обновлять содержимое ячеек памяти, то есть записывать информацию. Когда-то такая память использовалась для хранения BIOS, однако сегодня этот тип памяти уже не применяется.

Другой тип энергонезависимой памяти — перезаписываемое ПЗУ (ППЗУ) или EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory). К ним относятся:

-перепрограммируемые ПЗУ с электрической записью информации

и стиранием ультрафиолетовым излучением (УФППЗУ) — основа ячейки памяти микросхемы данного типа — МОП-транзистор с полностью изолированным «плавающим» затвором, при программировании окисел пробивается и на затворе накапливается заряд, который сохраняется там пока микросхема не будет подвергнута УФ-облучению, под его действием окисел




становится проводящим; сопротивление канала транзистора зависит от заряда на затворе и будет определять бит, записанный в ячейку;

-электрически стираемые ПЗУ(ЕЕPRОМ) устроены аналогично

УФППЗУ, но стирание происходит, как и запись, при подаче импульсов

напряжения; это самый дорогой, но и самый удобный тип ПЗУ. Такая память может быть перезаписана только с помощью специальных программаторов. В настоящее время из-за сложности процесса перезаписи на смену ППЗУ приходит флэш-память (Flash Memory).

Рисунок 37 - Структура ПЗУ

.

Сейчас уже довольно сложно определить происхождение термина «flash». В буквальном переводе с английского flash — это вспышка, молния. Возможно, таким названием разработчики хотели подчеркнуть, что данная энергонезависимая память позволяет перезаписывать информацию со скоростью молнии. В любом случае название «flash» прочно закрепилось за этим типом памяти, хотя и не имеет никакого отношения ни к архитектуре памяти, ни к технологиям ее производства.






Сейчас читают про: