2015-02-24
1250
Электропроводность полупроводников зависит от напряженности электрического поля. При низких значениях напряженности поля (до некоторого критического значения Ек) соблюдается закон Ома, и удельная проводимость не зависит от напряженности поля, а при более высоких напряженностях поля начинается интенсивный рост удельной проводимости по экспоненциальному закону, приводящий к разрушению структуры полупроводника. С ростом температуры кривая удельной проводимости перемещается вверх, а наклон возрастающей части становится меньше (рисунок 36).
Рисунок 36
Для некоторых полупроводников зависимость удельной проводимости от напряженности поля описывается выражением
,
где γ — удельная проводимость полупроводника при Е < Ек, См/м,
β — коэффициент, характеризующий полупроводник, 
.
Возрастание проводимости обусловлено ростом числа носителей заряда, так как под влиянием поля они легче освобождаются тепловым возбуждением. При дальнейшем росте поля может появиться механизм ударной ионизации, иногда приводящий к разрушению структуры полупроводника.
