Осаждение пленок нитрида кремния

Нитрид кремния Si₃N₄ используют:

1. для пассивации (защиты) поверхности ИМС (уже сформированных на
кремниевых подложках) от проникновения молекул воды и ионов натрия, которые
могут привести к коррозии металлизации ИМС или к нестабильности ее электрических
характеристик;

2. в качестве маски при локальном окислении кремния, что обусловлено низкой скоростью окисления самого нитрида кремния (закрытые маскирующей пленкой Si₃N₄ слои не окисляются);

3. в качестве маски при локальном травлении пленок SiO₂.

Осаждение пленок нитрида кремния осуществляется в результате химических реакций:

а) между силаном и аммиаком при атмосферном давлении и температурах 700° - 900°С

б) между дихлорсиланом и аммиаком при пониженном давлении и температурах 700° - 800°C

При пониженном давлении пленки Si₃N₄ получаются более однородные. После осаждения Si₃N₄ контролируют толщину и пористость пленки.