Обычный колебательный контур с сосредоточенными параметрами при работе в диапазоне УКВ должен иметь малые параметры индуктивности и ёмкости, чтобы значение резонансной частоты было бы велико: . На практике реальные значения параметров элементов складываются из номинальных и паразитных (например, Смонтажа). В диапазоне УКВ номинальный параметр ёмкости может иметь величину, сопоставимую с паразитной ёмкостью монтажа. Кроме того, малое значение параметра индуктивности приводит к уменьшению добротности: , где . Колебательные цепи ламповых генераторов, работающих на частотах до 30…100 МГц, выполняются на сосредоточенных LC-элементах, а на более высоких частотах применяются объёмные резонаторы на базе коаксиальных линий. В транзисторных генераторах, работающих на частотах до 1…2 ГГц (в отдельных случаях – до 10…18 ГГц), колебательные цепи реализуют на сосредоточенных LC-элементах; начиная с частот 100…300 МГц, их выполняют частично или полностью на распределённых элементах, главным образом на отрезках несимметричных полосковых линий.
Четвертьволновая линия с малыми потерями, замкнутая на конце, обладает свойствами резонансной цепи, состоящей из параллельно соединённых элементов L, C. При частоте, при которой на линии укладывается четверть волны (такая частота называется резонансной), входное сопротивление линии будет максимальным.
При малом отклонении частоты от резонансной модуль входного сопротивления линии резко убывает; входное сопротивление приобретает емкостной характер при увеличении частоты и индуктивный характер – при уменьшении (рисунок 6).
Частотная зависимость может быть выражена следующей формулой
.
Добротность линии определяется как . При малых значениях коэффициента ослабления добротность получается высокой, достигая примерно 1000…4000, что намного превышает значение добротности контуров на элементах с сосредоточенными параметрами. В связи с этим возрастает и избирательность резонансной цепи с распределёнными параметрами.