Диоды Шоттки

Повышение быстродействия в интегральных микросхемах реализуется с помощью диодов Шоттки, подключаемых параллельно переходу база-коллектор транзистора, при этом такая комбинация в интегральном исполнении составляет единую структуру — транзистор Шоттки.

Существенного повышения быстродействия ключа, представленного на рис. 57.б, можно до­биться только при использовании диодов, имеющих малое время восстановления. Ес­ли применять низкочастотные диоды, в которых велико время рассасывания заряда, накопленного в базе, то эффект от введения нелинейной обратной связи будет незна­чителен. В этом случае диоды Шоттки незаменимы. Они имеют малое время восста­новления (не более 0.1 нс), низкое напряжение отпирания (около 0.25 В) и малое сопротивление в открытом состоянии (около 10 Ом). При применении диодов Шоттки отпадает необходимость ввода дополнительного напряжения смещения. Это обусловлено тем, что диод отпирается при более низком напряжении между коллек­тором и базой, когда транзистор еще находится на границе активного режима.