2015-04-12
629
Барьерная или зарядная емкость возникает при обратном напряжении на р - n -переходе и обусловлена изменением в нем объемного заряда. В этом случае р - n -переход рассматривается как обычный конденсатор, где пластинами являются границы обедненного слоя, а сам обедненный слой служит несовершенным диэлектриком с увеличенными диэлектрическими потерями.
Можно написать общую формулу для емкости плоского конденсатора:
Подставив толщину перехода l и произведя преобразования, получим зависимость Сб от напряжения и других параметров для резкого р - n -перехода:
Зависимость Сб от напряжения представляет собой вольт-фарадную характеристику. Значение барьерной емкости при U = 0:
Используя последнюю формулу, можно переписать выражение для барьерной емкости в более простом виде:
