2015-04-12
635
2.1. При выполнении расчётов тока удвоения исходную формулу можно преобразовать следующим образом:
и получить
Откуда
и затем
2.2. Коэффициент увеличения теплового тока можно вычислить из следующего соотношения:
2.3. Ток перехода сосчитать как для идеального перехода, так и с учетом величины базового сопротивления (величину базового сопротивления взять равной R баз = 50 + 2• N, где N - номер варианта).
2.4. Вычисленные в предыдущей работе значения ΔW (ширина запрещенной зоны) при использовании в вычислениях следует из эВ перевести в джоули, умножив их на заряд электрона е.
2.5. Статическое сопротивление вычисляется после определения тока через переход, по закону Ома.
Таблица 3.
Основные параметры Ge, Si и GaAs
| Параметр (при Т =300 0К) | Германий | Кремний | Арсенид галлия |
| Собственное удельное сопротивление ρ, Ом.см | 2,3•105 | 108 | |
| Ширина запрещённой зоны Δ Wз, эВ | 0,67 | 1,12 | 1,42 |
| Эффективная масса электрона по отношению к массе свободного электрона mn/ m 0 | 0,22 | 0,33 | 0,07 |
| То же для дырок mр/ m 0 | 0,39 | 0,55 | 0,5 |
| Эффективная плотность состояний, см-3 | |||
| в зоне проводимости Nc | 1019 | 2,8•1019 | 4,7•1017 |
| в валентной зоне Nv | 6•1018 | 1019 | 7•1017 |
| Собственная концентрация ni 0, см-3 | 2,4•1013 | 1,45•1010 | 1,8•106 |
| Подвижность, см2/В•с | |||
| электронов μn | |||
| дырок μр | |||
| Коэффициент диффузии, см2/с | |||
| электронов Dn | |||
| дырок Dр | |||
| Электрическое поле пробоя, В/см | 1,42 | 1,05 | 1,15 |
| Относительная диэлектрическая проницаемость ε |
