Исходные данные. 3.1 Материал полупроводника – германий (Ge) или кремний (Si)

3.1 Материал полупроводника – германий (Ge) или кремний (Si).

3.2 Результаты, полученные при выполнении предыдущей практической работы.

3.2 Рабочая температура t – в ⁰С, приращение температуры DT принимать равным самой температуре (естественно в ⁰С).

3.3 Приложенное к электронно-дырочному переходу напряжение – U, В.

Задание к практическому занятию №2

В соответствии с исходными данными необходимо выполнить следующие расчеты для электронно-дырочного перехода.

4.1. На основе соотношения, отражающего зависимость концентра­ции собственных носителей заряда полупроводника от ширины за­прещенной зоны и температуры, найти значение температу­ры удвоения теплового тока p-n перехода.

4.2. Рассчитать во сколько раз увеличится тепловой ток I₀ рассмот­ренного выше p-n перехода, при увеличении температуры на Δ Т.

4.3. Используя данные и результаты предыдущей задачи определить значение теплового тока I₀ p-n перехода. Известны площадь попе­речного сечения перехода S = 10^-3см², значения диффузионной дли­ны носителей заряда Ln = Lp = l мм, а также значения коэффициентов диффузии неосновных носителей заряда Dn, Dp (см. табл. 3). Найти значение плотности теплового тока j₀, значение теплового тока I₀ и значение полного тока через переход I.

4.4. Используя данные и результаты предыдущей задачи определить значение барьерной емкости p-n перехода для равновесного состояния.

4.5. Для p-n перехода рассмотренного в предыдущих заданиях рас­считать значения статического и дифференциального сопротивления идеального p-n перехода для случаев, когда к нему приложено пря­мое и обратное напряжения со значениями равными U.

5. Выбор варианта задания для практического занятия №2

Студенты, имеющие нечетную предпоследнюю цифру студенческого билета, выполняют задание с использованием полупроводников на основе кремния, а имеющие четную цифру – с использованием полупроводников на основе германия (см. табл. 2). Основные их параметры при температуре Т =300 ⁰ К приведены в табл. 3.

Практическое занятие №3

«Работа транзистора в усилительном режиме»

Целью данной работы является изучение усилительных каскадов на основе биполярных транзисторов а также приобретение навыков их расчёта.

Основные теоретические сведения