Match the following sentences with their translations

1. If we add a small amount of arsenic to silicon, several valence electrons of each arsenic atom will form covalent bonds with the neighboring atoms of silicon.	A. Рекомбинация происходит когда дырки и электроны иногда встречаются в полупроводнике.
2. The atom of arsenic has five valence electrons. The fifth electron has no pair and is attached to the arsenic nucleus very loosely.	B. Каждый атом галлия из III группы вводит одну дырку в кристаллическую решётку.
3. Each atom of arsenic will add one negative charge carrier to the silicon crystal. Such an impurity is called donor impurity. The resulting semiconductor will be called an N-type semiconductor.	C. Если мы добавим небольшое количество мышьяка в кремний, несколько валентных электронов каждого атома мышьяка создадут (образуют) ковалентные связи с соседними атомами кремния.
4.If the holes are in the minority in a semiconductor, we’ll call them minority charge carriers.	D. Тип примеси с галлием называется акцепторной примесью, и получающийся в результате полупроводник известен как полупроводник P-типа.
5. Recombination takes place when holes and electrons sometimes meet in the semiconductor.	E. Эта дырка может двигаться в кристалле таким же образом, как и дырка, полученная в результате теплового возбуждения.
6. Each atom of gallium from group III introduces one hole into the crystal lattice of silicon.	F. Если дырки в меньшинстве в полупроводнике, мы будем называть их неосновными носителями заряда.
7. This hole is able to move about in the crystal in the same way as a hole produced by thermal agitation.	G. Атом мышьяка имеет пять валентных электронов. Пятый электрон не имеет пары, он очень слабо связан с ядром атома мышьяка.
8. The type of impurity with gallium is called an acceptor impurity and the resulting semiconductor is known as a P-type semiconductor.	H. Каждый атом мышьяка добавит один отрицательно заряженный носитель в кристалл кремния. Такая примесь называется донорной примесью. Получившийся в результате полупроводник будет называться полупроводником N-типе.