PN/PIN фотодиоды

Имеются абсолютно общие требования к фотодетекторам, используемым в системах передачи сообщений:

· Высокая чувствительность для заданного значения длины световой волны (высокие величины спектрального отклика [ А / Вт ].

· Высокое быстродействие (сравнимое или превосходящее быстродействие п/п лазерных систем.

· Малые размеры.

· Высокое отношение сигнал-шум.

· Температурная стабильность.

· Длительный срок службы и малая стоимость.

Исходя из этих требований, в настоящее время только фотодиоды могут быть использованы в полной мере для обеспечения задач оптоэлектроники. В свою очередь, фотодиоды можно разделить на диоды без внутреннего усиления фототока и фотодиоды, обладающие внутренним усилением фототока (лавинные фотодиоды). Под внутренним усилением понимается способность генерировать несколько электронно-дырочных пар в объеме устройства при поглощении одного фотона. Кроме того, необходимо отметить, что все фотодиодные системы в нормальном режиме работают при обратном смещении, которое обеспечивает низкие паразитные обратные токи в p-n или p-i-n структурах.