Конденсация материала на подложке

Молекулы подлетая к подложке должны иметь избыточную энергию, что бы они могли мигрировать.

Подогрев подложки нужен, что бы обеспечить миграцию молекул по подложке и образования центров кристаллизации, а так же для освобождения подложки от остаточных молекул газа.

Билет №12 (1)

3. Определить величину коэффициента виброизоляции для амортизационного устройства из условия, что эффект амортизации равен 60%.

Экзаменационный билет № 22

1. Способы получения рисунка печатного монтажа. Схема технологического процесса получения печатных проводников комбинированным позитивным методом.

Рис. 14.1.3.

(рис. 14.1.3) – позитивный процесс. Создается проводящий рисунок двухсторонних слоев с межслойными металлизированными переходами (отверстиями). Сухой пленочный фоторезист (СПФ) наслаивается на заготовки фольгированного диэлектрика, прошедшие операции сверления отверстий и предварительной (5-7 мкм) металлизации медью стенок отверстий и всей поверхности фольги. В процессе фотолитографии СПФ защитный рельеф получают на местах поверхности металлизированной фольги, подлежащей последующему удалению травлением. На участки, не защищенные СПФ, последовательно осаждаются медь и металлорезист (сплав SnPb), в том числе и на поверхность стенок отверстий. После удаления маски СПФ незащищенные (более тонкие) слои меди вытравливаются. Процесс более сложный, однако, с его помощью удается получить металлизированные стенки отверстий.

2. Анализ амплитудно-частотной характеристики блока на амортизаторах.

Для вывода АЧХ блока по амортизации введем следующие допущения.

1.Упругая характеристика амортизации будет считаться линейной, если сила действующая на элемент определяется:

k- жесткость.

y- деформация упругого элемента.

2. Масса блока (элемента) будет стягиваться в одну материальную точку, т.е обладать одной степенью свободы.

3. Амортизация имеет способность рассеивать энергию колебаний в материале амортизатора на трение и другие виды потерь.

4. Материальная точка движется по гармоническому закону

Вибрация характеризуется тремя параметрами:

1.частота

2. коэффициент перегрузки.

Схема колебательной системы рис 1:

Рис 1

Уравнение движения возмущающей силы

Введем следующие обозначения:

1. относительная амплитуда колебаний или коэффициент виброизоляции.

Физический показатель во сколько раз перемещение блока меньше перемещения основания.

2. есть коэффициент расстройки системы

частота возбуждающих колебаний.

частота собственных колебаний.

3. Относительный коэффициент сопротивления. Коэффициент демпфирования D

4. h коэффициент трения

Цель: построить зависимость

Качество виброизоляции характеризуется коэффициент, виброизоляция которого показывает во сколько раз колебание объекта (перегрузка) меньше амплитуды перемещения основания.

Можно построить зависимость коэффициента виброизоляции от настройки рис 2:

Рис2.

Выводы:

1. При коэффициенте расстройки системы близком к 1 наступает резонанс, однако из-за наличия демпфирования амплитуды колебания объекта не превышает от 5÷10 кратного усиления колебания основания. Чем больше демпфирование, тем при резонансе меньше амплитуда.

2. Независимо от степени демпфирования, осуществляется защита от вибраций при значении расстройки системы

С увеличением коэффициента расстройки системы все кривые стремятся к нулю, и эффективность виброизоляции уменьшается при снижении коэффициента демпфирования. Т.е увеличение демпфирования оказывает отрицательное влияние на эффективность виброизоляции в зарезонансной зоне.

3. В области, когда коэффициент расстройки системы <1 виброизоляция отсутствует. В этом случае защита от механических воздействий достигается обеспечение жесткости и прочности элементов конструкции.

Эффективность амортизации имеет место только в зарезонансной зоне

3. Определить точность технологического процесса и % брака, если известно: Х, s, Хном. +DХ

Экзаменационный билет № 23

1. Методы изготовления печатных плат Технологический процесс электрохимического метода получения печатных производств

Билет №18(2)

2. Схема технологического процесса получения тонкопленочных интегральных микросхем.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: