Химические аспекты ПХТ кремнийсодержащих материалов

При травлении кремния, оксида кремния и нитрида кремния в плазме на основе CF4 участвуют в основном радикалы фтора (F*) и трехфтористого углерода (CF3*). В таблице приведены наиболее вероятные реакции разложения соединения и собственно травления которые происходят при ПХТ в среде CF4.

Основополагающим процессом при плазмохимическом травлении кремния и диоксида кремния является хемосорбция галогенсодержащих радикалов на поверхности материала и объединение его неспаренных электронов со свободными электронами атомов кремния на поверхности в активных центрах с образованием прочной химической связи. На примере галогена фтора и кремния процесс ПХТ можно представить в виде