double arrow

Теория метода


Каждая твердая кристаллическая фаза имеет собственную, присущую ей кристаллическую решетку. Как правило, для сложных веществ фазовый состав отличается от их химического состава. Например, еcли мы имеем окисленную медь, то химический состав образца будет определяться процентным содержанием меди и кислорода. Фазовый же состав будет оцениваться весовым или молярным содержанием чистой меди и ее возможных оксидов CuO и Cu2O. При качественном фазовом анализе необходимо установить, какие фазы присутствуют в образце, а при количественном – найти их процентное содержание.

Рентгеновский метод фазового анализа основан на том, что для рентгеновских лучей кристаллическая решетка является дифракционной.

Условием дифракции рентгеновских лучей на кристаллической решетке является условие Вульфа-Брэгга:

2dsinθ = nλ,

где d – расстояние между соседними кристаллографическими плоскостями, с атомами которых взаимодействуют рентгеновские лучи; θ – угол под которым наблюдается дифракция; n – порядок дифракционного максимума (порядок «отражения»); λ – длина волны монохроматических рентгеновских лучей, падающих на кристалл.

Если в качестве объекта использовать порошок или мелкокристаллический материал с различным образом ориентированными кристалликами, то при взаимодействии с ним монохроматических рентгеновских лучей всегда найдется для каждого сорта плоскостей определенное число кристалликов, попавших в «отражающее» положение. В этом случае под углом θ будет наблюдаться дифракционный максимум для данного сорта плоскостей. Угловое положение максимума будет определяться значением d, а последнее – геометрией кристаллической решетки.

Интегральная интенсивность рефлекса IHKL, полученного от плоскостей с индексами (hkl) в n – ом порядке «отражения», причем H = nh, K= nk, L = nl, определяется выражением:

IHKL = C ∙ L(θ) ∙ |FHKL|2 ∙ PHKLe-2M ∙ A(θ),

где C – общий для всех линий дифрактограммы множитель, зависящий от длины волны излучения; |FHKL|2 – структурный фактор; PHKL – фактор повторяемости, учитывающий число эквивалентных плоскостей, дающих одну и ту же дифракционную линию - он зависит от типа кристаллической решетки и сорта плоскостей; e-2M – температурный фактор; A(θ) – фактор поглощения, зависящий от исследуемого вещества, длины волны излучения и метода съемки.

Интенсивность рефлекса зависит, кроме указанных выше факторов, от режима работы рентгеновского аппарата: тока через трубку; напряжения на трубке; размера щелей, режима работы счетчика квантов рентгеновского излучения, скорости вращения образца и счетчика, скорости протяжки диаграммной ленты. Наконец, интенсивность рефлекса определяется количеством данной фазы.

Если исследуемый объект состоит из нескольких фаз, то каждой фазе будет соответствовать своя собственная дифракционная картина (рис. 13)

Рис. 13. Дифракционная картина нескольких фаз.

В этом случае дифрактограмма представляет собой наложение дифрактограмм всех имеющихся в исследуемом образце фаз. Интенсивность рефлексов каждой фазы будет зависеть от ее количества в исследуемой смеси. Так, из рис. 13 видно, что наиболее интенсивными являются рефлексы Cu, а самыми слабыми – Cu2O. Следовательно, в исследуемом образце меди содержится значительно больше, чем CuO и Cu2O.

Заказать ✍️ написание учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Сейчас читают про: