Схема с общей базой

Определение h11Б:

Выберем рабочую точку А на прямолинейной части входной характеристике. На характеристике Uкб = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆Iвх и ∆Uвх.

h11Б=∆Uвх/∆Iвх=∆Uэб/∆Iэ=rвх,

rвх -дифференциальное входное сопротивление.

Определение h12Б:

h12Б=∆Uвх/∆Uвых=∆Uэб/∆Uкб =КОС

Из-за недостатка экспериментальной информации - получена всего одна кривая - найти h12 нельзя.

Определение h21Б:

Выбираем ВАХ, соответствующую току эмиттера, при котором определялся параметр h11. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой Uвых = const, находим ∆Iвых и ∆Iвх.

h21Б=ΔIвых/ΔIвх=ΔIк/ΔIэ= α;

α -коэффициент передачи по току в схеме с общей базой.

Определение h22Б:

Рабочая точка А берется таже, что и при определении h21Б . На характеристике Iэ = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆Iвых и ∆Uвых.

h22Б= ΔIвых/ΔUвых=ΔIк/ΔUкб=1/ri

ri=1/h22Б - дифференциальное внутреннее сопротивление.

ОТЧЕТ

по лабораторной работе студент:

группа:

дата:

тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Схемы включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) и с общей базой (ОБ).

2. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

3. Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

4. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОБ.

5. Входные ВАХ транзистора в схеме ОБ.

6. Сравнительная таблица параметров транзистора в схемах ОЭ и ОБ.

Параметр rвх, Ом КОС β (ОЭ) α (ОБ) ri, кОм
ОЭ        
ОБ        

Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: