Определение h11Б:
Выберем рабочую точку А на прямолинейной части входной характеристике. На характеристике Uкб = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆Iвх и ∆Uвх.
h11Б=∆Uвх/∆Iвх=∆Uэб/∆Iэ=rвх,
rвх -дифференциальное входное сопротивление.
Определение h12Б:
h12Б=∆Uвх/∆Uвых=∆Uэб/∆Uкб =КОС
Из-за недостатка экспериментальной информации - получена всего одна кривая - найти h12 нельзя.
Определение h21Б:
Выбираем ВАХ, соответствующую току эмиттера, при котором определялся параметр h11. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой Uвых = const, находим ∆Iвых и ∆Iвх.
h21Б=ΔIвых/ΔIвх=ΔIк/ΔIэ= α;
α -коэффициент передачи по току в схеме с общей базой.
Определение h22Б:
Рабочая точка А берется таже, что и при определении h21Б . На характеристике Iэ = const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆Iвых и ∆Uвых.
h22Б= ΔIвых/ΔUвых=ΔIк/ΔUкб=1/ri
ri=1/h22Б - дифференциальное внутреннее сопротивление.
|
|
ОТЧЕТ
по лабораторной работе студент:
группа:
дата:
тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Схемы включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) и с общей базой (ОБ).
2. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.
3. Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.
4. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОБ.
5. Входные ВАХ транзистора в схеме ОБ.
6. Сравнительная таблица параметров транзистора в схемах ОЭ и ОБ.
Параметр | rвх, Ом | КОС | β (ОЭ) α (ОБ) | ri, кОм |
ОЭ | ||||
ОБ |