Расчет оконечного каскада передатчика

Рабочая частота сигнала f = 153 МГц.

Мощность источника в антенне Ра = 10 Вт.

Напряжение источника питания Ек = 12.6 В.

Заданные показатели может обеспечить генератор с независимым возбуждением, выполненный по схеме на транзисторе КТ935А. Мощность, которую должен выработать оконечный каскад передатчика:

Вт

- мощность сигнала в антенне передатчика

- КПД промежуточного контура

- КПД антенного контура

Принимаем = 0.8, т.к. выполнено соотношение (область высоких частот), где

МГц.

Выпишем паспортные данные транзистора КТ935А. Допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер E_КЭД =80В, а напряжение база-эмиттер Е_БЭД =5В, емкость коллекторного перехода С_к =500пФ, статистический коэффициент передачи (усиления) в схеме с общим эмиттером β₀=20+100, постоянная времени коллекторной цепи r_gC_ka =20мc, допустимый коллекторный вход I_kg=20А. По выходным характеристикам определяем крутизну линии критического режима S_кр, а по проходным крутизну S. В данном случае

Далее находим:

C_КА=0,4·500=200пФ;

С_КП=0,6·200=120пФ;

Эквивалентную емкость в открытом состоянии:

нФ

Значение

МГц

C_КА-емкость активной области коллекторного перехода

С_КП-емкость пассивной части коллекторного перехода

Задаваясь углом отсечки Θ=90°,для критического режима работы находим коэффициенты разложения коллекторного тока:

α₀=0,319;

α₁=0,5;

Определяем ξ_кр -критический коэффициент использования транзистора по коллекторному напряжению:

-напряжение на коллекторном контуре

-первая гармоника коллекторного тока

-эквивалентное сопротивление нагрузки

-максимальное значение коллекторного тока

-постоянная составляющая коллекторного тока

-мощность рассеиваемая на коллекторе

-КПД коллекторной цепи

-активная составляющая выходного сопротивления транзистора

-коэффициент включения в контур со стороны коллектора

-мощность возбуждения в цепи базы.

-коэффициент усиления по мощности.

Список используемой литературы

1.Методические указания к курсовому проекту «приемо-передатчик цифровых сигналов». Волков А.А., Горелов Г.В. Москва1994.

2. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы Справочник. 1987.

3.Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам. Горюнова Н.Н.1985.