2015-10-14
718
Генераторы линейного напряжения (ГПН) служит для получения временных задержек импульсных сигналов, модуляции импульсов по длительности и т.п.
Линейно нарастающее напряжение характеризуется максимальным значением U макс., длительностью рабочего хода t p, коэффициентом нелинейности:
,
где u’ (0) и u’ (t p) -скорости изменения напряжения во времени в начале и конце рабочего участка.
|
|
|
|
u C (t) = E к (1 – e – t /t)
|
Коэффициент нелинейности
где I (0) = Е к/ R к – ток в начале процесса; I (t p) = (Е к – U макс) / R к -ток в конце процесса. Очевидно, что идеально линейный закон может быть получен при
|
Рис.78. Генератор линейного напряжения
на операционном усилителе.
ЛИТЕРАТУРА
1. Ю.С.Забродин. Промышленная электроника. М., Высшая школа, 1982.
2. Ю.А.Овечкин. Полупроводниковые приборы. М., Высшая школа., 1979.
3. Т.М.Агаханян. Интегральные микросхемы. М., Энергоатомиздат, 1983.
4. Основы промышленной электроники. Под редакцией В.Г.Герасимова.
М., Высшая школа, 1986.
5. Глазенко Т.А., Прянишников В.А. Электротехника и основы электроники. М.; Высшая школа, 1996.
6. Гринфильд Д. Транзисторы и линейные ИС. М.; Мир, 1992.
СОДЕРЖАНИЕ
Стр.
Предисловие 4
Введение 5
Глава 1. Физические основы проводимости полупроводников 7
1.1 Электропроводность полупроводников.
Беспримесные и примесные полупроводники. 7
1.2. Процессы в электронно-дырочном переходе 13
1.3. Инжекция неосновных носителей.
Диффузная и зарядная емкости. 18
1.4. Пробой p-n перехода 21
|
|
|
Глава 2. Полупроводниковые диоды. 22
2.1. Устройство полупроводниковых диодов 22
2.2. Основные характеристики и параметры диодов 24
2.3. Выпрямительные диоды 26
2.4. Стабилитроны 31
Глава 3. Биполярные транзисторы. 32
3.1. Устройство и принцип действия. 32
3.2. Схемы включения транзисторов. 37
3.3. Статические характеристики биполярных
транзисторов 38
3.4. Схемы замещения транзистора. Определение
параметров 43
3.5. Параметры предельных режимов работы
транзисторов 46
Глава 4. Полевые транзисторы. 47
4.1. Принцип действия полевого транзистора. 47
4.2. Эквивалентная схема, параметры и характеристики
полевых транзисторов. 50
Глава 5. Тиристоры. 51
5.1. Устройство и принцип действия тиристора. 51
5.2. Предельно допустимые значения и
характеризующие параметры тиристоров. 58
5.3. Разновидности тиристоров. 68
Глава 6. Интегральные схемы. 69
6.1. Общие сведения. 69
6.2. Некоторые сведения о технологии изготовления
ИМС, параметры, маркировка. 70
Глава 7. Усилители напряжения, тока, мощности в схемах
Автоматики. 72
7.1. Общие сведения. 72
7.2. Усилитель переменного тока с конденсаторной
связью каскадов. 74
7.3. Усилитель переменного тока с трансформа-
торной связью каскадов 84
7.4. О режимах работы усилительных каскадов. 85
7.5. Усилители постоянного тока. 87
7.6. Дифференциальный усилитель. 92
7.7. Усилитель с модуляцией сигнала. 95
7.8. Понятие об операционном усилителе. 96
Глава 8. Полупроводниковые триггеры. 97
8.1. Ключевой режим работы биполярного транзистора 97
8.2. Симметричный триггер. 101
8.3. Несимметричный триггер с эмиттерной связью
(триггер Шмитта). 104
Глава 9. Мультивибраторы и одновибраторы. 105
9.1. Исходные положения. 105
9.2. Мультивибратор в автоколебательном режиме. 106
9.3. Одновибратор с эмиттерной связью. 108
Глава 10. Блокинг-генератор. 111
Глава 11. Генераторы линейно изменяющегося напряжения. 114
Библиографический список 116
Учебное пособие
Ясенев Николай Дмитриевич
Физические основы электроники
Редактор
Корректор
Лицензия: серия _________________ № _____________________
__________________________________________________________________
Подписано к печати Формат
Бумага писчая Плоская печать Усл. печ. л
Уч.-изд. Л. Тираж Заказ Цена “С”
__________________________________________________________________
Редакционно-издательский отдел
ГОУ ВПО УГТУ-УПИ
620002 Екатеринбург, ул. Мира 19
осителей заряда.
Транзистор имеет три области: эмиттер, базу, коллектор. Соответственно переходы база-эмтиттер - эмиттерный, база-коллектор - коллекторный.
