Наблюдения показывают, что при охлаждении расплава до температуры кристаллизации переход в твердое состояние происходит не мгновенно и не одновременно во всем объеме. Кристаллизация развивается из одного или нескольких центров и распространяется с конечной скоростью, захватывая постепенно весь объем неустойчивой фазы. Кинетика процесса кристаллизации описывается двумя величинами:
• скоростью образования центров кристаллизации С в единице объема за единицу времени;
• линейной скоростью роста кристалла, равной скорости перемещения растущей грани кристалла по нормали к этой грани.
Кривые и имеют максимумы, что объясняется тем, что при малых степенях переохлаждения D Т наблюдается возрастание скорости ростакристалла и скорости образования центров кристаллизации С, а при больших степенях переохлаждения D Т, в результате роста вязкости, – их падение.
Часто максимумы и С довольно сильно сдвинуты относительно друг друга по шкале температур (рис. 13.15). При этом центры кристаллизации в области максимума скорости роста еще не образуются, а в области максимума скорости образования центров кристаллизации линейная скорость роста уже мала. Это тормозит суммарную скорость кристаллизации, и полное время этого процесса растет. Кристаллизация идет только за счет пересечения ветвей. Ее можно ускорить, если, охладив расплав до температуры максимума кривой С (D Т), выждать некоторое время, пока не образуются центры кристаллизации, а затем, нагрев систему, вернуть ее в область максимума скорости роста.
|
|
Рис. 13.15. Кривые линейной скорости роста и скорости образования центров кристаллизации |
Инверсия в химии, 1) изменение конформации циклической молекулы, в результате чего меняется ориентация заместителя относительно кольца. Например, метилциклогексан существует в виде равновесной смеси двух конформаций с преобладанием формы II:
Частота инверсии зависит от характера заместителей и температуры. См. Стереохимия, Конформационный анализ.
2) Переход конфигурации молекулы, содержащей трёхвалентный «пирамидальный» атом (например, азота или мышьяка), в зеркально противоположную. Так, для молекулы с трёхвалентным азотом формы I и II — антиподы оптические:
где а, b, с — различные атомы или группы атомов. Энергетический барьер инверсии обычно невысок и зависит от температуры и характера а, b, с. По отношению к атому углерода («тетраэдрический» атом) обычно употребляется термин «обращение конфигурации» (см. Изомерия).
3) Инверсия сахаров — гидролиз сахарозы (например, свекловичного сахара), сопровождающийся изменением направления вращения плоскости поляризованного луча света раствором сахара. См. Сахара.
|
|
Б. Л. Дяткин.
ПИРАМИДАЛЬНАЯ ИНВЕРСИЯ,
внутримол. переход конфигурации
молекулы, содержащей. трехкоординац. пирамидальный атом, напр. N, P,
As, С-, Si-, из одной энантиомерной формы в другую. Осуществляется
через промежут. форму с плоской конфигурацией (т.е. путем политопной перегруппировки):
Высота энергетич. барьера
П. и D V (см. рис.) зависит от природы пирамидального атома и заместителей.
Так, энергетич. барьер П. и. NH3 ~ 24,7 кДж/моль (время жизни пирамидальной
конфигурации т = 2,5· 10 -11 с). Он мало меняется при замещении
атомов H на группы с близкой электроотрицательностью [ ~ 9,6 кДж/моль для CH3NH2,
18,4 кДж/моль для (CH3)2NH], резко уменьшается в случае
более электроположит. лигандов (напр., LiNH2) и повышается в случае
более электроотрицат. заместителей (-251,4 кДж/моль для NF3).
С увеличением порядкового
номера элемента в одной подгруппе барьеры П. и. однотипных соед. (а следовательно,
и устойчивость пирамидальной конфигурации) резко возрастают, что позволяет препаративно
разделять энантиомеры, напр. в случае CH3(C3H7)PC6H5.
Для пирамидальной конфигурации PH3 t = 2,3·10-6 с, для
(СН3)3Р-2 ч, для AsH3-1,4 ч. Синтезированы
также оптически активные соед. As(III), сульфониевые соли, сульфоксиды, эфиры
суль-финовой к-ты и сульфиниламины.
Электронные факторы, стабилизирующие
переходное состояние 11. и., могут изменить геометрию молекулы от пирамидальной
до плоской. Напр., барьер П. и. H2NCHO (плоская конфигурация) ~4,6
кДж/моль, что объясняется p-p -сопряжением в плоском переходном состоянии.
Этот эффе-кт обусловливает также плоскую геометрию пиррол лов и соед., содержащих
связи Si—N или P-N.
При включении атома Э в
малый цикл (азиридины) или пятичленный цикл (пирролидины) барьер П. и. повышается
из-за дестабилизирующих плоское переходное состояние угловых напряжений (напр.,
в N-метилазириди-не барьер П. и. ~89,2 кДж/моль). Тот же эффект отмечен для
изопропилоксираниевого иона и циклопропилид-аниона.
Впервые соед. с пирамидальной
конфигурацией молекул в оптически активной форме - основание Трегера (ф-ла I)-получил
В. Прелог в 1944.
Лит.. Вейлстеке
А., Основы теории квантовых усилителей и генераторов, пер. с англ., M., 1963;
Зефиров H. С., "Ж. Всес. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева" 1977,
т 22, № 3, с. 261-74; Потапов В. M., Стереохимия, 2 изд., M., 1988. М.Е.Клецкий.
Эвтектика этононвариантная (при постоянном давлении) точка в системе из n компонентов, в которой находятся в равновесии n твердых фаз и жидкая фаза. Эвтектическая композиция представляет собой мелкодисперсную механическую смесь фаз, плавящихся и кристаллизующихся одновременно при минимальной температуре существования жидкой фазы для данной системы.
Рис.. Бинарная фазовая диаграмма с эвтектическим превращением
Добавляя или отводя тепло, можно изменить пропорцию между кристаллическими фазами и расплавом в эвтектической точке без изменения температуры. После кристаллизации эвтектика становится механической смесью фаз — твёрдой эвтектикой.
Эвтектика является пересечением поверхностей насыщения участвующих кристаллических фаз, находящихся в равновесии с расплавом при минимальной температуре плавления. Если отводится соответствующее количество тепла, то расплав эвтектического состава при кристаллизации в равновесных условиях в точке эвтектики даст все кристаллические фазы, участвующие в системе. Если же при сохранении эвтектической температуры в достаточном количестве подводится тепло, то смесь фаз, отвечающая эвтектическому составу, в равновесных условиях полностью расплавится.