Структура сплавно-диффузионного p-n-p

транзистора

Рис. 2. Структура сплавно-диффузионного p-n-p транзистора.

1,3 – выводы базы;

2 – рекристаллизационная область – эмиттер;

n – размеры кристалла;

c, d – размеры лунки;

h_кр – толщина кристалла;

R_э, R_б – радиусы выводов эмиттера и базы;

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

Расчёт сплавно-диффузионного транзистора.

Задачи расчёта

    В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, параметры эквивалентной Т-образной схемы транзистора по переменному току, его эксплуатационные параметры. Часть электрофизических и геометрических параметров при расчёте задаётся исходя из соображений номенклатурного порядка. В конце расчёта выбирается тип корпуса транзистора.

    В итоге должны иметься все геометрические и электрофизические параметры, необходимые для исполнения конструкторской и основной части технологической документации. Особенно это касается состава диффузантов, навесок и припоев.