Рис. 7.10. Строение зон арсенида галлия

Выводы

1. Структура валентных зон у всех полупроводников сходна: три полосы, одна из которых отщеплена спин-орбитальным взаимодействием.

2. Зона проводимости возмущена сильнее, вырождения нет и также состоит из трех полос энергии.

3. В Si и Ge изоэнергетические поверхности – эллипсоиды, смещенные в направлениях [100] и [111], соответственно; в GaAs – сфера. Таким образом, Si и Ge – непрямозонные полупроводники, GaAs – прямозонный полупроводник.