Статическая характеристика бип. Транзистора с ОЭ

В схеме с общим эмиттером управляющим током является ток базы. Выходные коллекторные характеристики выражаются в виде зависимости:

Входные (базовые) характеристики описываются зависимостью

Рассмотрим эти характеристики:

а) выходные характеристики;

б) входные характеристики.

I – нормальный активный режим;

II – режим насыщения;

III – пробой коллекторного p-n перехода.

Пунктиром – реальные по расчету;

Сплошной линией – полученные с помощью модели Эверса–Мола.

Вся физика такая же как и в схеме с ОБ. Однако выходные ВАХ имеют особенности, а именно области нормального активного режима и режима насыщения расположены в одном первом квадранте, т. е. режим двойной инжекции в схеме с ОЭ возникает не при отрицательном потенциале на коллекторе как в схеме с ОБ, а при малых положительных потенциалах , достаточных что бы напряжение на коллекторе было меньше, чем на базе.