Работа бип. Транзистора в импульсном режиме

При работе в импульсном (ключевом) режиме транзисторы включаются по схеме с ОЭ (см. рис.)

– омическое сопротивление полупроводникового материала.

В процессе прохождения импульса тока транзистор работает в трех режимах одновременно. В промежутке между импульсами транзистор находится в режиме отсечки, в момент переключения в нормальном активном и в момент прохождения в режиме насыщения (двойной инжекции). В исходном состоянии транзистор всегда находится в режиме отсечки (см. рис.)

а) – импульс тока базы;

б) – импульс тока коллектора;

в) – распределение в базе инжектированных носителей заряда в различные моменты времени формирования коллекторного тока:

1) фронта

2) насыщения

3) рассасывания

4) среза.

В момент изменения направления тока базы наблюдается небольшой спад тока коллектора, связанный с изменением падения напряжения на объемном сопротивлении базы. Далее в течении времени ток коллектора мало изменяется до тех пор пока накопленные в базе носители заряда не уйдет из него или не рекомбинируют. Время в течение которого транзистор находится в режиме насыщения после окончания импульса прямого базового тока называется временем рассасывания , оно зависит от конструкции транзистора, материала и значения тока . После окончания процесса рассасывания транзистор переходит в режим отсечки в течении времени . Таким образом при прохождении импульса тока через транзистор не изменяется не только форма импульса, но и его длительность. Времена определяют быстродействие и частотные свойства транзистора. При включении транзистора по схеме с общей базой процесс протекания коллекторного импульса протекает аналогично.