2014-02-10
416
Поверхностная плотность электронов в канале есть разность между полной плотностью заряда в полупроводнике и плотностью заряда обедненного слоя
(2.4.1)
Воспользовавшись алгебраическим тождеством 
, получаем выражение для поверхностной плотности электронов (см-2) в канале как функции поверхностного потенциалa:
(2.4.2)
Полученная формула справедлива от глубокого обеднения до сильной инверсии. Плотность заряда электронов в канале в предельных случаях сильной инверсии и глубокого обеднения записывается в виде
, (2.4.3)
где емкость обедненной области CD определяется формулой (2.1.6). Формула (2.4.2) может быть использована для расчета зависимости 
.
