Типы мощных транзисторов, используемых в генераторах

В ГВВ могут использоваться биполярные и полевые транзисторы.

В биполярных транзисторах происходит перенос как основных носителей заряда в полупроводнике, так и неосновных; в полевых - только основных. Управление током прибора в биполярных транзисторах осуществляется за счет заряда неосновных носителей, накапливаемых в базовой области; в полевых - за счет действия электрического поля на поток носителей заряда, движущихся в полупроводниковом канале, причем поле направлено перпендикулярно этому потоку. Для увеличения мощности прибора в биполярных транзисторах используют многоэмиттерную структуру, а в полевых - многоканальную. Материалом для мощных ВЧ транзисторов обоих типов служит кремний, в СВЧ приборах применяют также арсенид галлия. Задача повышение выходной мощности сигнала и максимальной частоты усиления в полупроводниковом приборе решена путем создания кремниевых и арсенид-галлиевых транзисторов с многоэмиттерной и многоканальной структурой. Другое направление в развитии генераторных транзисторов связано с повышением их линейных свойств при усилении сигналов повышенной мощности. В табл. 7.1 приведены четыре основных параметра - максимальная частота усиления , выходная мощность , коэффициент усиления по мощности , КПД нескольких типов ВЧ мощных биполярных и полевых транзисторов. Основные сведения для мощных транзисторов, необходимые для анализа работы ГВВ, приведены в таблице 7.1.

Таблица 7.1

Тип транзистора	Частота, МГц	Мощность , Вт	Коэффициент усиления, дБ	КПД, %
КТ927В КП904А КТ922В КТ931А КТ930В