Проявление фоторезиста

Проявление - это процесс удаления лишних в фоторезисте участков. Если фоторезист позитивный - вымываются засвеченные ультрафиолетовым светом участки; если фоторезист негативный - вымываются незасвеченные участки (см. рисунки в первой теме "Фотолитография. Назначение основных операций").

После проявления на поверхности подложек остается защитный рельеф - фоторезистивная маска нужной конфигурации.

Проявителями позитивных фоторезистов являются слабые водные и водно-глицериновые щелочные растворы КОН, NaOH.

Проявителями негативных фоторезистов являются органические растворители: бензол, толуол, трихлорэтилен и др.

Дня каждого фоторезиста существуют оптимальные сочетания времени экспонирования и времени проявления, обеспечивающие наилучшее качество проявленного рисунка. Увеличение времени экспонирования уменьшает время проявления. С ростом температуры скорость проявления растет.

Проявление осуществляют погружением в раствор, выдержкой в парах проявителя или распылением на вращающуюся подложку.

После проявления следует операция тщательной промывки подложек в протоке деионизованной воды.

При контроле проявленного рисунка под микроскопом проверяют точность совмещения, размеры элементов рисунка и качество их контура, плотность микродефектов. При неудовлетворительном качестве проявленного рисунка фоторезист удаляют с подложки и повторяют все операции фотолитографии.

Задубливание фоторезиста

Задубливание (вторая сушка) проводится для повышения химической стойкости фоторезиста к травителю и улучшения адгезии фоторезиста к подложке.

При повышенных температурах в слое фоторезиста затягиваются мелкие отверстия, поры, дефекты.

Чтобы не произошло ухудшения качества фотомаски, задубливание проводят в два- три этапа с постепенным подъемом температуры до максимальной. Для большинства фоторезистов максимальная температура задубливания - 150°С, общее время 1-1,5 часа.

Более высокие температуры вызывают разрушение слоя фоторезиста: поверхность покрывается мелкими трещинами и рельеф полностью теряет свои защитные свойства.

Задубливание слоя фоторезиста выполняют на том же оборудовании и теми же методами, что и первую сушку.

Урок