Тогда крутизна ВАХ определится как

В результате проведенной аппроксимации характеристики ток базы транзистора в окрестности рабочей точки с координатами , определится как:

;

Подставив значения величин , и , получим:

Из этой формулы следует, что при ток базы транзистора должен принимать отрицательные значения, что не отражается заданной характеристикой. Значит, полученная функция будет аппроксимировать заданную зависимость только при амплитуде входного напряжения . Если же входное напряжение будет

, то можно принять . Таким образом, аппроксимирующая функция (сплошная линия на рис.2), отражающая характеристику транзистора, запишется в следующем виде:

Повышение точности аппроксимации характеристик нелинейных элементов достигается увеличением количества отрезков линий. Однако это усложняет аналитическое выражение аппроксимирующей функции.