- Величина элементарного электрического заряда была определена в опытах:
1) Иоффе;
2) Толмена и Стюарта;
3) Мандельштама и Папалекси;
4) Рикке.
- Величина элементарного электрического заряда была определена в опытах:
1) Милликена;
2) Толмена и Стюарта;
3) Мандельштама и Папалекси;
4) Рикке.
- Величина элементарного электрического заряда была определена в опытах:
1) Толмена и Стюарта;
2) по исследованию электролиза;
3) Рикке;
4) Мандельштама и Папалекси.
- Отсутствие ионной составляющей в электропроводности металлов показано в опытах:
1) Милликена;
2) Толмена и Стюарта;
3) Рикке;
4) Иоффе.
- Инерция носителей заряда в металлах зафиксирована в опытах:
1) Иоффе;
2) Милликена;
3) Рикке;
4) Мандельштама и Папалекси.
- Удельный заряд свободного электрона определен в опытах:
1) Иоффе;
2) Рикке;
3) Мандельштама и Папалекси;
4) Томсона.
- Знак заряда электрона определил:
1) Рикке;
2) Томсон;
3) Иоффе;
4) Лоренц.
- Удельный заряд свободного электрона определен в опытах:
1) Буша;
|
|
2) Иоффе;
3) Рикке;
4) Мандельштама и Папалекси.
- Масса электрона равна:
1) ;
2) ;
3) ;
4) .
- Удельный заряд электрона равен:
1) ;
2) ;
3) ;
4) .
- Собственный момент импульса электрона равен:
1) ;
2) ;
3) ;
4) .
- Собственный магнитный момент электрона равен:
1) ;
2) ;
3) ;
4) .
- Удельный заряд носителей в металле определен в опытах:
1) Рикке;
2) Томсона;
3) Иоффе;
4) Толмена и Стюарта.
- Удельный заряд носителей в металле:
1) больше удельного заряда свободного электрона;
2) меньше него;
3) равен ему;
4) не связан с ним однозначно.
- Какое из положений классической электронной теории электропроводности металлов приведено неверно:
1) энергия электронов равномерно распределена по степеням свободы;
2) размерами электронов пренебрегают;
3) соударения между электронами и ионами решетки абсолютно упругое;
4) между собой электроны взаимодействуют по закону Кулона.
- Классическая электронная теория электропроводности металлов создана:
1) Иоффе;
2) Эйнштейном;
3) Друдэ;
4) Томсоном.
- Усовершенствовал классическую электронную теорию электропроводности металлов:
1) Иоффе;
2) Эйнштейн;
3) Томсон;
4) Лоренц.
- Кто из названных физиков не имел отношения к экспериментам по инерции носителей заряда в металлах:
1) Мандельштам и Папалекси;
2) Рикке;
3) Лоренц;
4) Толмен и Стюарт.
- Масса электрона была определена путем:
1) его взвешивания на пружинных весах;
2) его взвешивания на рычажных весах;
3) исследования его движения в электрических и магнитных полях;
4) в опытах по электролизу.
- Приборы для измерения удельного заряда ионов называются:
1) осциллографы;
|
|
2) гальванометры;
3) масс-спектрографы;
4) электронные микроскопы.
- Преимущества циклотрона связаны с уменьшением размеров ускорителя за счет:
1) использования переменного электрического поля;
2) использования переменного магнитного поля;
3) использования постоянного магнитного поля;
4) создания вихревого электрического поля.
- С позиций классической электронной теории создание электрического поля в металле приводит к:
1) замене хаотического движения электронов на их направленное движение;
2) одновременному участию электронов в тепловом и направленном движении;
3) снижению скорости хаотического движения электрона;
4) увеличению скорости хаотического движения электрона.
- Классическая электронная теория металлов хорошо объясняет (укажите неправильный ответ):
1) закон Ома;
2) закон Джоуля-Ленца;
3) закон Видемана-Франца;
4) явление сверхпроводимости.
- Классическая электронная теория металлов качественно хорошо объясняет (укажите неправильный ответ):
1) закон Ома;
2) температурную зависимость сопротивления металлов;
3) температурную зависимость сопротивления полупроводников;
4) закон Джоуля-Ленца.
- Парадокс теплоемкостей заключается в том, что с позиций классической электронной теории:
1) молярные теплоемкости металлов и диэлектриков одинаковы;
2) молярная теплоемкость металлов должна быть в 1,5 раза больше молярной теплоемкости диэлектриков;
3) молярная теплоемкость металлов должна быть в 1,5 раза меньше молярной теплоемкости диэлектриков;
4) молярная теплоемкость металлов и молярная теплоемкость диэлектриков не должны быть взаимосвязаны.
- Скорость направленного движения электронов в металле от времени изначально описывается сплошной линией, а затем пунктирной. Что изменилось?
1) увеличилась температура;
2) увеличилось поле;
3) уменьшилось поле;
4) увеличились и температура и поле.
- Скорость направленного движения электронов в металле от времени изначально описывается сплошной линией, а затем пунктирной. Что изменилось?
1) увеличилась температура;
2) увеличилось поле;
3) уменьшилось поле;
4) увеличились и температура и поле.
- Скорость направленного движения электронов в металле от времени изначально описывается сплошной линией, а затем пунктирной. Что изменилось?
1) увеличилась температура;
2) увеличилось поле;
3) уменьшилось поле;
4) увеличились и температура и поле.
- Учет распределения электронов в металле по тепловым скоростям:
1) улучшает результат объяснения закона Видемана-Франца;
2) ухудшает его;
3) не сказывается на результате;
4) такой учет невозможно произвести.
- Учет взаимодействия электронов между собой осуществляется:
1) в классической электронной теории электропроводности;
2) в зонной теории электропроводности;
3) ни в одной из этих теорий;
4) в обеих этих теориях.
- Концентрацию и подвижность электронов можно рассчитать, измерив для образца:
1) только электропроводность;
2) только эффект Холла;
3) и эффект Холла и электропроводность;
4) при исследовании названных явлений определить концентрацию и подвижность нельзя.
- Эффект Холла возникает из-за действия:
1) магнитодвижущей силы;
2) термоэлектродвижущей силы;
3) сторонней силы;
4) силы Лоренца.
- Эффект Холла заключается в:
1) выделении или поглощении тепла в образце вещества;
2) создании между гранями образца разности температур;
3) возникновении магнитного поля в образце;
4) создании разности потенциалов между гранями образца.
- Чтобы наблюдать эффект Холла необходимо:
1) пропустить через образец электрический ток;
2) создать в образце магнитное поле;
|
|
3) пропустить ток и создать магнитное поле, направленное в ту же сторону;
4) пропустить ток и создать магнитное поле в перпендикулярном току направлении.
- Определение знака Холловской разности потенциалов в образце позволяет:
1) определить подвижность носителей;
2) их концентрацию;
3) знак носителя заряда;
4) наличие ионной составляющей в электропроводности.
- В опыте Милликена заряд капли масла не может измениться на:
1) ;
2) ;
3) ;
4) .
- Нижняя энергетическая зона (в рамках зонной теории электропроводности) не полностью заполнена электронами при температуре, близкой к ОК:
1) в полупроводниках;
2) в металлах;
3) в диэлектриках;
4) в любых твердых телах.
- При собственной электропроводности полупроводников носители заряда возникают за счет переноса электронов:
1) с донорного уровня в зону проводимости;
2) из валентной зоны на акцепторный уровень;
3) из зоны проводимости в валентную зону;
4) из валентной зоны в зону проводимости.
- Носители заряда при электронной примесной электропроводности полупроводников возникают за счет переноса электронов:
1) с донорного уровня в зону проводимости;
2) из валентной зоны на акцепторный уровень;
3) из зоны проводимости в валентную зону;
4) из валентной зоны в зону проводимости.
- Носители заряда при дырочной примесной проводимости полупроводников возникают после переноса электронов:
1) с донорного уровня в зону проводимости;
2) из валентной зоны на акцепторный уровень;
3) из зоны проводимости в валентную зону;
4) из валентной зоны в зону проводимости.
- При собственной электропроводности полупроводников носителями заряда являются:
1) только электроны;
2) только дырки;
3) дырки и электроны, концентрация электронов больше;
4) дырки и электроны, концентрации одинаковы.
- При примесной донорной электропроводности носителями заряда являются:
1) электроны;
2) дырки;
3) положительные ионы;
4) отрицательные ионы.
- При примесной акцепторной электропроводности носителями заряда являются:
1) электроны;
|
|
2) дырки;
3) положительные ионы;
4) отрицательные ионы.
- При собственной электропроводности энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:
1) от валентной зоны до акцепторного уровня;
2) от донорного уровня до зоны проводимости;
3) от акцепторного уровня до донорного уровня;
4) ширине запрещенной зоны.
- При примесной электронной проводимости энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:
1) от валентной зоны до акцепторного уровня;
2) от донорного уровня до зоны проводимости;
3) от акцепторного уровня до донорного уровня;
4) ширине запрещенной зоны.
- При примесной дырочной проводимости энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:
1) от валентной зоны до акцепторного уровня;
2) от донорного уровня до зоны проводимости;
3) от акцепторного уровня до донорного уровня;
4) ширине запрещенной зоны.
- При примесной электронной электропроводности, если электропроводность меняется с температурой по закону , то - энергетическое расстояние:
1) от валентной зоны до акцепторного уровня;
2) от донорного уровня до зоны проводимости;
3) от акцепторного уровня до донорного уровня;
4) ширина запрещенной зоны.
- При примесной дырочной электропроводности, если электропроводность меняется с температурой по закону , то - энергетическое расстояние:
1) от валентной зоны до акцепторного уровня;
2) от донорного уровня до зоны проводимости;
3) от акцепторного уровня до донорного уровня;
4) ширина запрещенной зоны.
- Неосновные носители заряда возникают в примесных электронных проводниках за счет перехода электронов:
1) с донорного уровня в зону проводимости;
2) из валентной зоны на акцепторный уровень;
3) с акцепторного уровня на донорный уровень;
4) из валентной зоны в зону проводимости.
- Неосновные носители заряда возникают в примесных дырочных полупроводниках за счет перехода электронов:
1) с донорного уровня в зону проводимости;
2) из валентной зоны на акцепторный уровень;
3) с акцепторного уровня на донорный уровень;
4) из валентной зоны в зону проводимости.
- Какие из названных эффектов не относятся к термоэлектрическим:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Пельтье;
4) Томсона.
- Какие из названных эффектов не относятся к гальваномагнитным:
1) Холла;
2) возникновение продольной разности температур;
3) возникновение поперечной разности температур;
4) Пельтье.
- Чем отличаются с точки зрения зонной теории электропроводности полупроводники от диэлектриков:
1) заполненностью валентной зоны;
2) шириной запрещенной зоны;
3) наличием донорных уровней;
4) наличием акцепторных уровней.
- Чем отличаются с точки зрения зонной теории электропроводности металлы от полупроводников:
1) заполненностью валентной зоны;
2) шириной запрещенной зоны;
3) наличием донорных уровней;
4) наличием акцепторных уровней.
- Чем отличаются с точки зрения зонной теории металлы от диэлектриков:
1) заполненностью валентной зоны;
2) шириной запрещенной зоны;
3) наличием донорных уровней;
4) наличием акцепторных уровней.
- В каких веществах сопротивление с ростом температуры увеличивается:
1) в собственных полупроводниках;
2) в электролитах;
3) в металлах;
4) в примесных полупроводниках.
- В каких веществах сопротивление с ростом температуры уменьшается (укажите неправильный ответ):
1) в собственных полупроводниках;
2) в электролитах;
3) в металлах;
4) в примесных полупроводниках.
- Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:
1) Холла;
2) Пельтье;
3) возникновение поперечной разности температур;
4) Зеебека.
- Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:
1) Пельтье;
2) Томсона;
3) Зеебека;
4) возникновение поперечной разности температур.
- Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:
1) метод горячего зонда;
2) Пельтье;
3) роста сопротивления в магнитном поле;
4) Зеебека.
- Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:
1) Пельтье;
2) Зеебека;
3) возникновение продольной разности температур;
4) возникновение поперечной разности температур.
- Какие эффекты не относятся к гальваномагнитным:
1) Пельтье;
2) Холла;
3) эффект возникновения поперечной разности температур;
4) эффект роста сопротивления в магнитном поле.
- Какие эффекты не относятся к гальваномагнитным:
1) Зеебека;
2) Холла;
3) эффект возникновения поперечной разности температур;
4) эффект роста сопротивления в магнитном поле.
- Какие эффекты не относятся к контактным:
1) Пельтье;
2) Зеебека;
3) Томсона;
4) униполярности проводимости в контакте двух полупроводников.
- Чем отличаются основные положения зонной теории электропроводности от классической электронной:
1) учитывается взаимодействие электронов между собой;
2) учитывается кулоновское взаимодействие электронов и ионов;
3) используется иная статистика электронов;
4) учитываются размеры электронов.
- Справедливость закона Дюлонга и Пти согласуется с:
1) классической электронной теорией;
2) зонной теорией;
3) теорией Бардина, Купера, Шриффера;
4) ни с одной из названных.
- Зонная теория объясняет (укажите неправильный ответ):
1) выполнимость закона Дюлонга и Пти;
2) температурную зависимость сопротивления проводника;
3) сверхпроводимость;
4) наличие двух видов примесной проводимости в полупроводнике.
- Внутренняя контактная разность потенциалов в металлах вызвана:
1) различной работой выхода;
2) различной концентрацией носителей;
3) различным знаком носителей;
4) различной электропроводностью.
- Внешняя контактная разность потенциалов в металлах вызвана в основном:
1) различной работой выхода;
2) различной концентрацией носителей;
3) различным знаком носителей;
4) различной электропроводностью.
- В контакте полупроводников с различным типом примесной проводимости носителями заряда при протекании тока в прямом направлении являются:
1) неосновные носители;
2) только электроны;
3) только дырки;
4) основные носители.
- В контакте полупроводников с различным типом примесной проводимости носителями заряда при протекании тока в западном направлении являются:
1) неосновные носители;
2) только электроны;
3) только дырки;
4) основные носители.
- Циклотронный резонанс позволяет определить удельный заряд:
1) свободных электронов;
2) электронов в металлах;
3) и свободных электронов и электронов в металлах;
4) носителей заряда в полупроводниках.
- Удельный заряд носителей в полупроводниках определяют:
1) методом горячего зонда;
2) эффектом Холла;
3) циклотронным резонансом;
4) электронным парамагнитным резонансом.
- Сила Лоренца ответственна за возникновение эффектов (укажите неправильный ответ):
1) Холла;
2) циклотронного резонанса;
3) Пельтье;
4) диамагнетизма.
- От различия знаков носителей заряда не зависят результаты эффектов:
1) поперечной разности температур;
2) Томсона;
3) Холла;
4) продольной разности температур.
- Метод горячего зонда позволяет определить:
1) подвижность носителей;
2) их концентрацию;
3) знак носителей;
4) удельный заряд носителей.
- Как правило, равны между собой эффективные массы:
1) свободного электрона и электрона проводимости в металле;
2) свободного электрона и электрона в полупроводнике;
3) электрона в металле и электрона в полупроводнике;
4) электронов в различных полупроводниках.
- При осуществлении циклотронного резонанса образец помещают в два взаимно перпендикулярных поля:
1) постоянных электрических;
2) постоянное электрическое, переменное магнитное;
3) постоянное магнитное, переменное электрическое;
4) постоянные магнитное и электрическое.
- При осуществлении электронного парамагнитного резонанса образец помещают в два взаимно перпендикулярных поля:
1) постоянных электрических;
2) постоянное электрическое, переменное магнитное;
3) постоянное магнитное, переменное электрическое;
4) постоянные магнитное и электрическое.
- При температурах, близких к комнатной, для носителей заряда в металлах скорость направленного движения:
1) немногим больше скорости теплового движения;
2) существенно больше скорости теплового движения;
3) немногим меньше скорости теплового движения;
4) существенно меньше скорости теплового движения.
- Сопротивление металлов с позиций классической электронной теории возникает из-за:
1) теплового движения электронов;
2) столкновений электронов с ионами;
3) ускоренного движения электронов в электрическом поле;
4) наложения магнитного поля.
- Выделение тепла Джоуля-Ленца в металлах с позиций классической электронной теории имеет место из-за:
1) теплового движения электронов;
2) столкновений электронов с ионами;
3) ускоренного движения электронов в электрическом поле;
4) наложения магнитного поля.
- При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и методом эффекта Холла, если полупроводник дырочный, то должно быть получено:
1) ток течет в направлении 1, ;
2) ток течет в направлении 1, ;
3) ток течет в направлении 2, ;
4) ток течет в направлении 2, .
- При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и методом эффекта Холла, если полупроводник электронный, то должно быть получено:
1) ток течет в направлении 1, ;
2) ток течет в направлении 1, ;
3) ток течет в направлении 2, ;
4) ток течет в направлении 2, .
- При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и исследования эффекта Томсона, если полупроводник дырочный, то должны быть получены результаты:
1) ток течет в направлении 1, ;
2) ток течет в направлении 2, ;
3) ток течет в направлении 1, ;
4) ток течет в направлении 2, .
- При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и исследования эффекта Томсона, если полупроводник электронный, то должны быть получены результаты:
1) ток течет в направлении 1, ;
2) ток течет в направлении 2, ;
3) ток течет в направлении 1, ;
4) ток течет в направлении 2, .
- При исследовании типа примесной проводимости полупроводника по исследованию эффекта Холла и продольной разности температур, если проводник дырочный, то должны быть получены результаты:
1) , ;
2) , ;
3) , ;
4) , .
- При исследовании типа примесной проводимости полупроводника по исследованию эффекта Холла и продольной разности температур, если проводник электронный, то должны быть получены результаты:
1) , ;
2) , ;
3) , ;
4) , .
- Результаты исследования эффекта Холла в дырочном полупроводнике верно приведены в ответе:
1)
2)
3)
4)
- Результаты исследования эффекта Холла в электронном полупроводнике верно приведены в ответе:
1)
2)
3)
4)
- Тепло Пельтье будет выделяться в контакте металлов, если:
1) , а ток течет в направлении 2;
2) , а ток течет в направлении 1;
3) , а ток течет в направлении 1;
4) предсказать по этим данным невозможно.
- Тепло Пельтье будет поглощаться в контакте металлов, если:
1) , а ток течет в направлении 2;
2) , а ток течет в направлении 1;
3) , а ток течет в направлении 1;
4) предсказать по этим данным невозможно.
- Укажите правильный ответ. Тепло Томсона выделяется:
1) полупроводник дырочный, , ток течет в направлении 2;
2) полупроводник электронный, , ток течет в направлении 1;
3) полупроводник электронный, , ток течет в направлении 2;
4) полупроводник дырочный, , ток течет в направлении 1.
- Возникновение эффекта Зеебека:
1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;
2) для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;
3) для объяснения была создана теория Бардина, Купера, Шриффера;
4) ни одна из этих теорий не объясняет эффект.
- Для создания микрохолодильников используют эффект:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Пельтье;
4) Керра.
- Для измерения разности температур используют эффект:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Пельтье;
4) Керра.
- Для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую можно использовать эффект:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Пельтье;
4) Керра.
- Для измерения индукции магнитного поля часто используют эффект:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Пельтье;
4) Керра.
- Возникновение эффекта Холла:
1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;
2) для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;
3) для объяснения была создана теория Бардина, Купера, Шриффера;
4) ни одна из этих теорий не объясняет эффект.
100. Возникновение эффекта Пельтье:
1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;
2) для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;
3) для объяснения была создана теория Бардина, Купера, Шриффера;
4) ни одна из этих теорий не объясняет эффект.
101. Внутренняя контактная разность потенциалов в металлах зависит от (укажите неправильные ответы):
1) отношения концентраций носителей заряда;
2) температуры;
3) только от концентрации носителей в одном из металлов;
4) от разности концентраций носителей.
102. Первооткрывателем явления сверхпроводимости был:
1) Фарадей;
2) Максвелл;
3) Каммерленг-Оннес;
4) Лоренц.
103. Явление сверхпроводимости было объяснено на микроскопическом уровне в рамках теории:
1) классической электронной;
2) зонной;
3) БКШ;
4) другой.
104. В соответствии с теорией БКШ электроны в классических сверхпроводниках взаимодействуют между собой за счет:
1) электрон-электронного взаимодействия;
2) электрон-фононного взаимодействия;
3) не взаимодействуют;
4) Кулоновского взаимодействия.
105. Самая высокая температура перехода в сверхпроводящее состояние для классических сверхпроводников составляла величину порядка:
1) 1 К;
2) 10 К;
3) 25 К;
4) 100 К.
106. Классическая сверхпроводимость имеет место в:
1) металлах;
2) полупроводниках;
3) диэлектриках;
4) в любых веществах.
107. Высокотемпературная сверхпроводимость обнаружена в:
1) металлах;
2) полупроводниках;
3) диэлектриках;
4) в любых веществах.
108. Электроны, объединяющиеся в куперовские пары, должны иметь (укажите неправильный ответ):
1) противоположные спины;
2) противоположные импульсы теплового движения;
3) противоположные импульсы направленного движения.
109. Состояние сверхпроводимости можно разрушить (укажите неправильный ответ):
1) сильным магнитным полем;
2) нагреванием;
3) пропусканием по сверхпроводнику большого тока;
4) поднесением к сверхпроводнику другого сверхпроводника.
110. В сверхпроводнике внешнее стационарное магнитное поле:
1) ослабляется;
2) увеличивается;
3) оно не проникает в сверхпроводник;
4) порождает электрическое поле.
111. Токи Майснера протекают:
1) по поверхности сверхпроводника;
2) в его объеме;
3) и в объеме и на поверхности;
4) в сверхпроводнике никогда не возникают.
112. Макроскопический квантовый эффект, связанный со сверхпроводимостью, заключается в том, что:
1) в сверхпроводнике при включении магнитного поля индукция магнитного поля квантуется;
2) при выключении магнитного поля, в которое был помещен неодносвязный образец сверхпроводника, индукция оставшегося магнитного поля может меняться только дискретно;
3) ток Майснера может меняться только дискретно;
4) нагревание сверхпроводника происходит скачками.
113. Ток Майснера в сверхпроводнике можно создать:
1) только меняя магнитное поле, в котором находится сверхпроводник;
2) только переводя находящийся в магнитном поле образец в сверхпроводящее состояние;
3) любым из этих способов;
4) подключая к сверхпроводнику источник тока.
114. Направление токов Майснера можно определять в сверхпроводнике:
1) по правилу буравчика;
2) по правилу левой руки;
3) по правилу Ленца;
4) ни одно из этих правил не подходит.
115. Для носителей заряда в сверхпроводниках используют статистику:
1) Ферми-Дирака;
2) Больцмана;
3) Бозе-Эйнштейна;
4) другие статистики.
116. В высокотемпературных сверхпроводниках перенос заряда осуществляется:
1) одиночными ионами;
2) спаренными ионами;
3) одиночными электронами;
4) спаренными электронами.
117. Какая из вольтамперных характеристик относится к полупроводниковому диоду:
1) 2)
3) 4)
118. Какая из вольтамперных характеристик относится к вакуумному диоду:
1) 2)
3) 4)
119. Укажите, какое устройство из названных не является полупроводниковым прибором:
1) диод;
2) транзистор;
3) тиратрон;
4) тиристор.
120. Диоды (полупроводниковые, вакуумные) можно использовать для:
1) генерации колебаний;
2) выпрямления переменного тока;
3) усиления колебаний;
4) ни по одному из названных назначений.
121. При включении транзистора в схему усиления «с общей базой» устройством можно усиливать (укажите неправильный ответ):
1) только ток;
2) только мощность;
3) только напряжение;
4) мощность и напряжение.
122. Полупроводниковый диод обозначается на электрической схеме:
1) 2)
3) 4)
123. При протекании тока в прямом направлении через p-n переход:
1) дырки движутся из р в n область, электроны из р в n область;
2) дырки движутся из р в n область, электроны из n в p область;
3) дырки движутся из n в p область, электроны из р в n область;
4) дырки движутся из n в p область, электроны из n в p область.
124. При повышении температуры полупроводниковые приборы перестают работать из-за:
1) увеличения числа неосновных носителей;
2) изменения типа примесной проводимости;
3) перехода к ионной проводимости;
4) спаривания электронов.
125. В вакуумных электронных лампах носители заряда появляются за счет:
1) автоэлектронной эмиссии;
2) вторичной эмиссии;
3) термоэлектронной эмиссии;
4) другого эффекта.
126. Вакуумная лампа с двумя электродами называется:
1) диод;
2) триод;
3) тетрод;
4) пентод.
127. Вакуумная лампа с тремя электродами называется:
1) диод;
2) триод;
3) тетрод;
4) пентод.
128. Вакуумная лампа с четырьмя электродами называется:
1) диод;
2) триод;
3) тетрод;
4) пентод.
129. Вакуумная лампа с пятью электродами называется:
1) диод;
2) триод;
3) тетрод;
4) пентод.
130. Газонаполненная лампа с двумя холодными электродами называется:
1) газотрон;
2) неоновая;
3) тиратрон;
4) диод.
131. Газонаполненная лампа с двумя электродами, один из которых подогревной, называется:
1) газотрон;
2) неоновая;
3) тиратрон;
4) диод.
132. Газонаполненная лампа с тремя электродами, один из которых подогревной, называется:
1) газотрон;
2) неоновая;
3) тиратрон;
4) диод.
133. В рабочем режиме в газонаполненных лампах носители заряда возникают за счет:
1) термоэлектронной эмиссии;
2) ударной ионизации;
3) вторичной эмиссии;
4) автоэлектронной эмиссии.
134. Не удается запереть электронную лампу подачей отрицательного напряжения на сетку:
1) в вакуумном триоде;
2) в тиратроне;
3) и в вакуумном триоде и в тиратроне;
4) ни в одной из этих ламп.
135. Частота электрического сигнала усиливаемого с помощью вакуумного триода ограничена:
1) дробовым эффектом;
2) электрическими флуктуациями;
3) вторичной эмиссией;
4) инерцией электронов.
136. Коэффициент усиления каскада усилителей на вакуумных лампах ограничен из-за (укажите не имеющий отношения к вопросу ответ):
1) дробовым эффектом;
2) электрическими флуктуациями;
3) шумами электронной лампы;
4) инерцией электронов.
137. Динатронный эффект в тетродах вызван:
1) дробовым эффектом;
2) инерцией электронов;
3) вторичной электронной эмиссией;
4) электрическими флуктуациями.
138. Вторичная электронная эмиссия используется:
1) в электронных вакуумных лампах;
2) в электронных умножителях;
3) в газонаполненных лампах;
4) в полупроводниковых приборах.
139. Вылет электронов из металлов при их нагревании:
1) автоэлектронная эмиссия;
2) термоэлектронная эмиссия;
3) вторичная эмиссия;
4) внешний фотоэффект.
140. Вылет электронов из металлов под действием сильного электрического поля:
1) автоэлектронная эмиссия;
2) термоэлектронная эмиссия;
3) вторичная эмиссия;
4) внешний фотоэффект.
141. Вылет электронов из металлов под действием их бомбардировки частицами:
1) автоэлектронная эмиссия;
2) термоэлектронная эмиссия;
3) вторичная эмиссия;
4) внешний фотоэффект.
142. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при малых анодных напряжениях, в основном, из-за:
1) насыщения;
2) наличия пространственного заряда;
3) нагрева катода;
4) вторичной эмиссии.
143. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при больших анодных напряжениях, в основном, из-за:
1) насыщения;
2) наличия пространственного заряда;
3) нагрева катода;
4) вторичной эмиссии.
144. Какое распределение потенциала имеет место в вакуумном диоде при подаче отрицательных потенциалов на анод:
1) 1;
2) 2;
3) 3;
4) 4.
145. Зависимость тока в вакуумном диоде от напряжения между анодом и катодом называется:
1) закон Ома;
2) закон Ричардсона-Дэшмена;
3) закон Ричардсона;
4) закон Богуславского-Лэнгмюра.
146. В пентоде на экранирующую сетку подается потенциал:
1) который надо усилить;
2) анодный потенциал;
3) катодный потенциал;
4) она не подключена в цепь.
147. В пентоде на антидинатронную сетку подается потенциал:
1) который надо усилить;
2) анодный потенциал;
3) катодный потенциал;
4) она не подключена в цепь.
148. В пентоде на управляющую сетку подается потенциал:
1) который надо усилить;
2) анодный потенциал;
3) катодный потенциал;
4) она не подключена в цепь.
149. Измеренные величины массы электронов в полупроводниках не совпадают с массой свободных электронов из-за:
1) внутреннего фотоэффекта;
2) зависимости сопротивления от магнитного поля;
3) наличия дырок в полупроводниках;
4) воздействия на носители кристаллической решетки.
150. Носителями заряда в полупроводниках при примесной проводимости могут быть:
1) электроны и дырки в равных концентрациях;
2) электроны или дырки;
3) ионы;
4) куперовские электронные пары.
151. Носителями заряда в полупроводниках при собственной проводимости могут быть:
1) электроны и дырки в равных концентрациях;
2) электроны или дырки;
3) ионы;
4) куперовские электронные пары.
152. Из р-области в n-область полупроводникового диода свободно проходят:
1) ионы;
2) дырки;
3) электроны;
4) электроны и дырки.
153. Из n-области в р-область полупроводникового диода свободно проходят:
1) ионы;
2) дырки;
3) электроны;
4) электроны и дырки.
154. В базе р-n-р транзистора основными носителями заряда являются:
1) электроны;
2) дырки;
3) ионы;
4) куперовские пары электронов.
155. В базе n-р-n транзистора основными носителями заряда являются:
1) электроны;
2) дырки;
3) ионы;
4) куперовские пары электронов.
156. Тепло на контакте двух веществ выделяется или поглощается при протекании тока за счет эффектов:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Томсона;
4) Пельтье.
157. Термоток в замкнутой цепи из двух веществ, контакты которых находятся при разных температурах, возникает за счет эффектов:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Томсона;
4) Пельтье.
158. При протекании тока через образец вещества, в котором имеется градиент температуры, тепло выделяется или поглощается за счет эффектов:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Томсона;
4) Пельтье.
159. Электрическое поле в образце вещества, через который течет ток и в котором создано магнитное поле, возникает за счет эффектов:
1) Холла;
2) Зеебека;
3) Томсона;
4) Пельтье.
160. С помощью механико-магнитных эффектов можно определить:
1) удельный заряд носителей;
2) элементарный электрический заряд;
3) гиромагнитное отношение;
4) знак носителей заряда.
161. С помощью циклотронного резонанса можно определить:
1) удельный заряд носителей;
2) элементарный электрический заряд;
3) гиромагнитное отношение;
4) знак носителей заряда.
162. С помощью эффекта Холла можно определить:
1) удельный заряд носителей;
2) элементарный электрический заряд;
3) гиромагнитное отношение;
4) знак носителей заряда.
163. С помощью электронного парамагнитного резонанса можно определить:
1) удельный заряд носителей;
2) элементарный электрический заряд;
3) гиромагнитное отношение;
4) знак носителей заряда.
164. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью эффектов:
1) Пельтье;
2) Зеебека;
3) Томсона;
4) Холла.
165. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:
1) метода горячего зонда;
2) эффекта Пельтье;
3) правила Ленца;
4) эффекта Зеебека.
166. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:
1) эффекта Томсона;
2) эффекта Пельтье;
3) эффекта Зеебека;
4) циклотронного резонанса.
167. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:
1) магнитоэлектрического эффекта: измерения продольной разности температур;
2) магнитоэлектрического эффекта: измерения поперечной разности температур;
3) циклотронного резонанса;
4) электронного парамагнитного резонанса.
168. В классическом сверхпроводнике носителями заряда являются:
1) ионы;
2) электроны;
3) дырки;
4) куперовские спаренные электроны.
169. Сверхпроводник является:
1) идеальным парамагнетиком;
2) идеальным сегнетоэлектриком;
3) идеальным параэлектриком;
4) идеальным диамагнетиком.
170. В «высокотемпературных» сверхпроводниках температура перехода в сверхпроводящее состояние лежит в диапазоне:
1) более 300 К;
2) 200 – 300 К;
3) 100 – 200 К;
4) ниже 25 К.
171. Сильное магнитное поле:
1) разрушает состояние сверхпроводимости;
2) повышает температуру перехода в сверхпроводящее состояние;
3) снижает температуру перехода в сверхпроводящее состояние;
4) способствует протеканию токов Майснера.
172. Носителями заряда в газах могут быть:
1) электроны или дырки;
2) ионы;
3) электроны;
4) ионы и электроны.
173. Процесс создания носителей заряда в жидкостях называют:
1) ионизация;
2) поляризация;
3) электролитическая диссоциация;
4) электролиз.
174. Процесс выделения вещества на электродах при протекании тока называют:
1) ионизация;
2) поляризация;
3) электролитическая диссоциация;
4) электролиз.
175. Электролиз исследовал:
1) Максвелл;
2) Лоренц;
3) Фарадей;
4) Ленц.
176. Масса вещества, выделяющегося при электролизе на электроде, пропорциональна заряду, протекающему через электролит , – это:
1) химический коэффициент;
2) электрохимический коэффициент;
3) число Фарадея;
4) число Лошмита.
177. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:
1) химический коэффициент;
2) электрохимический коэффициент;
3) число Фарадея;
4) число Лошмита.
178. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:
1) химический коэффициент;
2) электрохимический коэффициент;
3) число Фарадея;
4) число Лошмита.
179. Носителями заряда в электролитах могут быть:
1) электроны или дырки;
2) ионы;
3) электроны;
4) ионы и электроны.
180. Различают следующие виды электропроводности газов:
1) собственную и примесную;
2) электронную и дырочную;
3) электронную и ионную;
4) самостоятельную и несамостоятельную.
181. Процесс создания носителей заряда в газах называют:
1) электризация;
2) диссоциация;
3) ионизация;
4) поляризация.
182. Вольтамперная характеристика несамостоятельного газового разряда имеет вид:
1) 2)
Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:
|