Отличие заочного образования от дневного состоит в том, что основной формой обучения является самостоятельная работа студентов над учебным материалом.
Студенты заочной формы обучения в пятом семестре должны изучить разделы 2.1. … 2.6, 2.10. учебной программы, приведенной ниже. Для закрепления теоретического материала для студентов заочной формы обучения в этом семестре предусматривается десять лекций, одно практическое занятие и одна лабораторная работа, которые проводятся в плановые часы в период сборов в университете.
Лекция №1 Вводная:Электрофизические свойства полупроводников.
Лекция №2 Контактные явления в полупроводниках.
Лекция №3 Биполярные транзисторы.
Лекция №4 Статический и динамический режим работы транзисторов.
Лекция №5 Схемы включения биполярных транзисторов.
Лекция №6 Характеристики и параметры электронных усилителей.
Лекция №7 Обратные связи в электронных усилителях.
Лекция №8 Цепи смещения и температурной стабилизации транзисторов.
Лекция №9 Арифметические и логические узлы ЭВМ.
Лекция №10 Логические и функциональные узлы ЭВМ.
Практическое занятие №1 Изучение законов и правил алгебры логики. На этом занятии рассматриваются способы представления ФАЛ, минимизация переключательных функций, принципы синтеза цифровых автоматов.
Лабораторная работа №1 Исследование характеристик транзистора. На этой работе определяются статические, динамические характеристики и основные параметры биполярного транзистора.
Итоговым видом контроля является экзамен, на котором студент должен дать ответы на два теоретических и один практический вопрос в соответствии с выпиской из программы, приведенной в приложении О. При этом допуском к экзамену служат:
оформление и защита расчетно – графической работы № 1 (РГР – 1) “ Графоаналитический расчет полупроводникового усилительного каскада ”. Методические указания по выполнению РГР – 1 приведены в [13д];
оформление и защита расчетно – графической работы № 2 (РГР – 2) “ Синтез и исследование цифрового автомата, построенного на интегральных микросхемах”. Методические указания по выполнению РГР – 2 приведены в [11д];
проведение, оформление отчета и защита лабораторной работы ЛР – 1 –“Исследование биполярного транзистора”. Методические указания по выполнению лабораторных работ приведены в [7].
Студенты заочной формы обучения в шестом семестре должны изучить разделы 2.7. … 2.9. учебной программы, приведенной ниже.
Для закрепления теоретического материала для студентов заочной формы обучения в этом семестре предусматривается пять лекций и два практических занятия, которые проводятся в плановые часы в период сборов в университете.
Лекция №1 Усилители постоянного тока.
Лекция №2 Операционные усилители.
Лекция №3 Решающие усилители.
Лекция №4 Генераторы гармонических колебаний.
Лекция №5 Импульсные процессы.
Практическое занятие №1 Изучение практических схем, содержащих в своем составе операционные усилители.
Практическое занятие №2 Расчет импульсных цепей.
Итоговым видом контроля для заочной формы обучения в шестом семестре является защита разработанного курсового проекта и экзамен, на котором студент должен дать ответы на два теоретических и один практический вопрос в соответствии с выпиской из программы, приведенной в приложении И.
Методические указания по выполнению курсового проекта приведены в [12д].
РАЗДЕЛЫ ПРОГРАММЫ И МЕТОДИЧЕСКИЕ
УКАЗАНИЯ ПО ИХ ИЗУЧЕНИЮ
ВВЕДЕНИЕ
Определение предмета, целей и задач дисциплины, ее значение при обучении и в профессиональной деятельности. Краткий исторический обзор развития электроники и микросхемотехники. Структура дисциплины, характеристика учебной программы. Порядок и методика изучения, цели, формы и способы контроля знаний. Рекомендуемая литература. Связь ОЭ с другими дисциплинами, ее место в системе естественных и технических наук.