Задача 1. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), определить коэффициент усиления по току β (параметр h21) для точки А, характеризующейся напряжением коллектор-эмиттер UКЭ=25 В и током базы Iб=500 мкА. Пересчитать коэффициент усиления по току этого транзистора при его включении по схеме с общей базой.
Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 1).
2. Опускаем перпендикуляр из точки А на горизонтальную ось до пересечения с ближней кривой и обозначаем точку пересечения В.
3. Из построения видно, что отрезок АВ представляет собой разность двух значений токов коллектора ∆ IК и тока базы ∆ IК
определяем их значение:
∆ IК=АВ=38-32=6 мА=6000 мкА;
∆ Iб=АВ=500-400-100 мкА
коэффициент усиления по току
при UКЭ=25 В
4. Определяем коэффициент усиления этого транзистора по току при его включении по схеме с общей базой. Так как
; то 
![]() |
Рис. 1
Задача 2. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), для точки М, характеризующейся UКЭ=15 В и током Iб =300 мкА. Определить выходную проводимость h22.
Решение. 1. Находим заднюю точку М на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 9).
2. Строим треугольник абс таким образом, чтобы точка М была на середине гипотенузы этого треугольника. Из треугольника абс находим аб= ∆UКЭ=20-10=10 В; бс=∆IК=24-21=3 мА
Используя формулу
при 
Находим
(Сименс) См.
Задача 3. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2) определить графическим путем входное сопротивление транзистора h11 для точки А, характеризующейся напряжением UКЭ=0 и током базы Iб=0,12 мА.
Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 2).
2. Строим прямоугольный треугольник абс каким образом, чтобы точка А оказалась на середине гипотенузы этого треугольника, а прямой угол оказался на соседней входной характеристике.
3. Из построения видно, что отрезок
, а отрезок 
![]() | ![]() |
Рис. 2 Рис. 3
Входное сопротивление
при UЭК=const 
Задача 4. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 3) определить графическим путем коэффициент обратной связи h12 для точки А, характеризующейся напряжением UКЭ =0 и током базы Iб =4мА.
Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 3).
2. Через точку А проводим линию, параллельную оси абсцисс, до пересечения с соседней характеристикой.
3. Из построения можно определить:

∆UКЭ=5-0=5 В; ∆ Uбэ=0,85-0,76=0,09 В
при Iб=const
ВОПРОСЫ К ЗАДАНИЮ №1
Вопрос №1
| Вариант | Вопрос |
| Электроны в твердых телах. | |
| Собственная электронная и дырочная электропроводность. | |
| Примесная электропроводность. | |
| Электронно-дырочный переход. | |
| Переход металл-полупроводник. | |
| Приборы с гетерогенными переходами. | |
| Вольамперная характеристика полупроводникового диода. | |
| Емкость и температурные свойства полупроводниковых диодов. | |
| Применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока. Схемы выпрямления. | |
| Физические процессы в биполярном транзисторе. |
Вопрос №2
| Вариант | Вопрос |
| Основные типы полупроводниковых диодов. | |
| Полупроводниковые стабилитроны. Характеристики. Схемы включения. | |
| Варикапы. Характеристики схемы включения. | |
| Туннельные диоды. Характеристики. Область применения. | |
| Фото и светодиоды. Характеристики. Область применения. | |
| Характеристики и параметры биполярных транзисторов. | |
| Полевые транзисторы. Характеристики. Параметры. | |
| Тиристоры. Характеристики. Параметры. Область применения. | |
| Оптоэлектронные приборы. | |
| Полупроводниковые резисторы. |









