МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ "КВАДРАТ".
Вращение подложки, расположенной под углом 15-17° по отношению к плоскости мишени. Назначение: нанесение ионно-лучевым распылением многослойных пленок диэлектриков, металлов, полупроводников. Тип источника - 4-х мишенный ионный источник Технические характеристики. Основные параметры источников: а) Источник распыления 1. Средняя энергия ионов 0,5 - 0,8 кэВ; 2. Ток ионного пучка 0,3 А; б) Источник ионной очистки 1. Средняя энергия ионов 0,01 - 0,1 кзВ; 2. Ток ионного пучка 0,1 А. |
Основные параметры установки
1. Режим работы - ручной с автоматическим контролем окончания процесса;
2. Размер пластин Æ 76 мм;
3. Количество одновременно загружаемых пластин 3 шт.;
4. Производительность 3 шт/ч;
5. Неравномерность нанесения + (1 - 2) %;
6. Средства откачки - криосорбционный насос;
7. Рабочее давление 0,015 Па;
8. Предельное остаточное давление 1,5×10-3 Па;
9. Потребляемая мощность 15 кВА;
|
|
10. Габаритные размеры - 1850 х 1500 х 1805 мм
11. Масса - 500 кг.
АВТОМАТИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ НАНЕСЕНИЯ СТРУКТУР
Пластина и источник неподвижны. Назначение: нанесение ионно - лучевым распылением пятислойной структуры в едином вакуумном цикле.Тип источника - 4-х мишенный ионный источник. Технические характеристики: Основные параметры источника: а) Источник распыления 1. Средняя энергия ионов 0,5-0,8 кэВ; 2. Ток ионного пучка 0,3 А; б) Источник ионной очистки 1. Средняя энергия ионов 0,01—0,1 кэВ; 2. Ток ионного пучка 0,1 А; |
Основные параметры установки:
1. Режим работы автоматический;
2. Размер пластин Æ76 мм;
3. Количество одновременно загружаемых пластин 1 шт.;
4. Производительность 4 шт/ч;
5. Неравномерность обработки ± 5 %;
6. Средство откачки - турбомолекулярный насос;
7. Рабочее давление 0,01 Па;
8. Предельное остаточное давление 0,001 Па;
9. Потребляемая мощность 10 кВА;
10. Габаритные размеры 3770 х 1610 х 3270 мм;
11. Масса 1750 кг.