P-n переходом

Рис. 24 Полевой транзистор с управляющим

Работа этих транзисторов основана на модуляции эффективного сечения канала, которую осуществляют изменением толщины запирающего слоя обратно смещённого р-п перехода. Область, от которой начинают движение основные носители называют истоком, а область, к которой движутся основные носители – стоком. Область, используемая для управления током, протекающим через канал, называют затвором. Источник Е₁ создаёт отрицательное напряжение на затворе. Ток, протекающий через канал Iс можно модулировать переменным входным напряжением. Постоянное отрицательное напряжение, при котором токопроводящий канал окажется перекрытым, называют пороговым или напряжением отсечки. К параметрам, характеризующим максимально допустимые режимы, относятся максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, между затвором и истоком и максимально допустимая мощность рассеивания в транзисторе. На рис.25 приведены примерные выходные характеристики транзистора этого типа:

Рис.25

cемейство выходных характеристик

полевого транзистора с n-каналом и

p - nпереходом

В качестве основного параметра полевого транзистора используется крутизна характеристики Iс =f(Uзи) в пологой области семейства выходных характеристик:

S = dIс/dUзи при Uси = Const.

Полевые транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ ^ы) бывают двух типов: с встроенным каналом и с индуцируемым каналом, рассмотрим их физические модели (рис.26)

Рис. 26 Физические модели МДП полевых транзисторов

Семейства выходных характеристик указанных транзисторов приведены на рис.27.

Рис.27

Выходные характеристики МДП полевых транзисторов

Из характеристик транзистора с встроенным каналом следует, что он может работать с обеднением канала носителями тока, когда входное напряжение положительно и дырки оттесняются вглубь кристалла,поскольку заряды пластин конденсатора, образованного металлом затвора, диэлектрическим «зазором» и полупроводником должны быть одинаковы и противоположны по знаку. Кроме того, указанный транзистор может работать и с обогащением канала при отрицательном значении входного напряжения по тем же причинам. Транзистор с индуцируемым каналом, как это следует из модели и характеристик, может работать только в режиме обогащения канала. Основным параметром МДП транзисторов также является приведенный выше коэффициент «S».

Условные графические обозначения полевых транзисторов разных типов приведены на рис.28.

В транзисторах с изолированным затвором как правило делается вывод от подложки (П), который может быть использован в некоторых случаях как второй затвор, чаще всего он накоротко соединяется с истоком. В схемах полевые транзисторы обозначаются как и биполярные буквами «VT», в перечнях элементов буквами «КП» и числом, кодирующим свойства данного типа транзистора, например, КП 720 - мощный полевой транзистор с индуцируемым каналом n-типа.

Элементы индикации (ЭИ) предназначены для преобразования электрических сигналов в видимые, удобные для визуального наблюдения. Классификация ЭИ приведена на рис. 29, из которой видно, что в основе классификации элементов индикации устройств отображения информации (УОИ) лежит многообразие физических принципов их работы и областей применения. По принципу светоотдачи они разделяются на активные и пассивные: активные ЭИ характеризуются генерацией фотонов, а пассивные – тем, что управляют излучением внешнего источника путем модуляции таких параметров, как отражение, поглощение, рассеяние или поляризация.