Схемы включения биполярного транзистора и режимы его работы

При включении транзистора в схему один из его выводов делают общим для входной и выходной цепей, поэтому схемы включения бывают: с общей базой (ОБ) (рис. 4.3,а); с общим эмиттером (ОЭ) (рис.4.3,б); с общим коллектором (ОК) (рис. 4.3,в). Относительно общего вывода измеряют напряжения входной и выходной цепей транзистора. Наибольшее применение имеет схема включения с ОЭ. Физические процессы в транзисторе удобнее рассматривать на примере схемы с ОБ.

В зависимости от смещения, созданного на эмиттерном и коллекторном р-n переходах, транзистор может работать в трех режимах.

Если один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном, режим называют активным. Если в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном, такое включение называют нормальным (рис.4.4,а). Если смещение на р-n переходах противоположное, включение называют инверсным В последнем случае коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора. Активный режим используется в усилительных схемах, в схемах генерирования, где транзистор выполняет функции активного элемента схемы. Если оба р-n перехода смещены в обратном направлении, транзистор работает в режиме отсечки (рис. 4.4,б). Если оба р-n перехода смещены в прямом направлении, транзистор работает в режиме насыщения (рис. 4.4,в). Режимы отсечки и насыщения используют в ключевых режимах работы транзистора: режим отсечки соответствует состоянию «отключено», режим насыщения - «включено». На рис. 4.4 показаны знаки потенциалов выводов для этих режимов.