double arrow
Скруббер установки эпитаксиального наращивания УНЭС-101

1 – конус распределителя, 2,6 – нижняя и верхняя ступени, 3 – фильтр, 4 – вентиль, 5,13 – манометры, 7 – реле протока, 8 – блокировочное устройство, 9 – микровыключатель, 10 – желоб, 11 – рычаг, 12 – свеча, 14 – регулятор давления, 15 – запальник, 16 – штуцер, 17 – бак, 18 – гидрозатвор, 19 – отработанные газы из реактора.

Скруббер представляет собой устройство, состоящее из двух параллельно работающих аппаратов, каждый из которых имеет две ступени: верхнюю 6 и нижнюю 2, соответственно служащие для сжигания очищенного водорода и адсорбционного улавливания водой токсичных веществ (хлорида водорода и тетрахлорида кремния). В случае погасания пламени в камере сжигания выходящие из скруббера газы должны быть разбавлены воздухом в соотношении 1:50 по отношению к максимальному количеству водорода. Верхняя 6 и нижняя 2 ступени скруббера представляют собой цилиндры с водяными баками 17 в нижней части. В выходной части верхней ступени имеется фланец, которым она соединяется с воздуховодом вытяжной вентиляции. Ниже расположено блокировочное устройство, выполняющее функции автоматического контроля за удалением продуктов определенной концентрации, выделяющихся при процессе. Когда интенсивность вентиляции становиться ниже допустимой, рычаг 11 с желобом 10 опускается вниз, размыкая микровыключателем 9 электрическую цепь, и срабатывает блокировка, сигнализирующая включением светового и звукового сигналов о неполадках. В нижней ступени скруббера имеется бак 17 с водяным затвором 18, через который из обеих ступеней удаляется в техническую канализацию загрязненная вода. В цилиндрических частях скруббера размещены распределитель с конусом 1, стекая с которых вода образует куполообразные пленки, способствующие повышению степени очистки отходящих газов. В верхней ступени имеется свеча 12, на выходе которой сжигаются технический водород и одновременно отходящие газы. Для зажигания водородной свечи служит искровой запальник 15. Для более полного сжигания отходящих газов в верхнюю ступень снизу через отверстия в водяном баке поступает воздух. Вода, стекающая с конусов верхней ступени, охлаждает цилиндрическую часть скруббера.




Оборудование для эпитаксии из жидкой фазы.Жидкофазная эпитаксия в основном применяется для получения слоев двойных (например GaAs) и тройных (CdSnP2) полупроводниковых соединений.



Оборудование для реализации рассмотренного технологического процесса должно обеспечивать нагрев кассеты с подложками в интервале 300…1100С с погрешностью ±0,75С, иметь несколько температурных зон. Необходимо предусмотреть устройства для нанесения раствора-расплава из тигля на поверхность подложки, при этом материалы тигля и реакционной камеры не должны взаимодействовать с раствором-расплавом и подложкой. Процесс эпитаксии из жидкой фазы должен вестись в защитной среде или вакууме. Реакторы установок для жидкофазной эпитаксии обычно изготавливаются из кварца, внутренняя аппаратура – тигли или ванны для расплава, кассеты для подложек – из графита. Размещаемые внутри реакторов устройства позволяют проводить нагрев шихты и положки, перемещение расплава на поверхность подложки и его последующее удаление. Эти операции могут выполняться поворотом контейнера с ванной и подложкодержателем, а также с использованием устройств пенального или шиберного типов.






Сейчас читают про: