2015-02-27
526
Установка состоит из регулируемого источника питания, вольтметра, миллиамперметра и термостата с термометром (рис. 2.51). В термостате находятся диод Ганна и полупроводниковый элемент, представляющий собой полупроводниковый параллелепипед с омическими контактами на противоположных гранях. Расстояние между контактами 10 мкм, площадь поперечного сечения 0,5 мм2.
Рис. 2.51. Принципиальная схема для снятия статических вольтамперных характеристик полупроводникового элемента и диода Ганна:
В – выпрямитель; R – реостат; V – вольтметр; mA –миллиамперметр; Т – термостат, П – полупроводниковый элемент, Д – диод Ганна
1. Подключите к источнику питания диод Ганна.
2. Изменяя напряжение питания, получите вольтамперную характеристику диода Ганна.
3. Подключите к источнику питания полупроводниковый элемент.
4. Получите вольтамперную характеристику полупроводникового элемента.
5. Включите термостат и после установки температуры 50°С проделайте п.п. 1-4.
6. Определите электропроводность и подвижность носителей до Екр и после Епор для комнатной температуры.
|
|
|
7. Сравните полученные результаты с теорией.
8. Постройте графики ln σ =f(E) для комнатной и повышенной температуры.
9. Оцените поведение концентрации носителей для различных полей и температур.
Контрольные вопросы
1. Какие поля называются сильными?
2. Объяснить влияние сильного поля на концентрацию носителей.
3. Объяснить влияние сильного поля на подвижность носителей.
4. Объяснить механизмы, приводящие к S-ВАХ.
5. Объяснить механизмы, приводящие к N-ВАХ.
6. Каков физический смысл параметров a, b, d варисторов?
7. Объясните эффект Ганна в полупроводниках.
8. Приведите примеры использования эффекта Ганна в электронике.
Литература: [3] – 8.6; [4] – 2.9.
