Определение толщины покрытия представляет серьезные методические трудности, в первую очередь из-за того, что понятие «толщина» применительно к тонким слоям теряет свою определенность в силу развитого рельефа поверхностей.
Под «истинной» толщиной пленки следует понимать величину
,
где d (y, z) – высота наружной границы металлических границ,
S – площадь поверхности слоя.
Существует ряд методов для измерения толщины проводящих тонких пленок: метод оптической интерферометрии, электрические, гравиметрические методы, методы с индикаторной иглой и т.д.
Электрические методы включают измерения электросопротивления пленки R двух- или четырех зондовым методом и расчет толщины по соответствующим формулам с учетом удельного сопротивления r. Для двухзондового метода
,
где l – длина пленки (расстояние между контактами);
а – ширина пленочной дорожки.
Гравиметрические методы основаны на взвешивании подложки до и после нанесения пленки. Средняя толщина пленки дается в ангстремах формулой
|
|
,
где ∆ P – разность веса, мкг;
S – площадь образца, см2 ;
r – плотность пленки, г∙см-3.
Электрические и гравиметрические методы просты, однако, требуют знания в первом случае удельного сопротивления, во втором – плотности пленки.
Методы оптической интерферометрии используют явление интерференции света. В данной работе использован принцип образования интерференционных полос в интерферометре Майкельсона примененного в промышленном интерферометре МИИ-4.
Прибор МИИ-4 позволяет измерять высоты неровностей в пределах от 1 до 0,03 мкм.
При установке на прибор плоского отражающего образца на его изображении образуются интерференционные полосы (рис. 2.53)
1 2
а) б)
Рис. 2.53. Интерференционная картинка плоской поверхности (а);
б – ступенька пленки (1) – подложка (2)
Если на подложке сформировать ступеньку пленка-подложка, то интерференционная картина изменится (рис. 2.53, б).
По этой картинке пользуясь окуляром-микрометром можно определить толщину пленки
d =0,27(N 3- N 4)/(N 1- N 2) (мкм),
где N 1, N 2, N 3, N 4 –отсчеты окуляра-микрометра.
Порядок выполнения работы:
- Ознакомиться с работой прибора МИИ-4, используя его описание.
- Измерить толщины предлагаемых тонкопленочных образцов с помощью МИИ-4.
- С помощью омметра измерить сопротивление этих образцов определить ρ.
- Результаты п.п. 3,4 занести в таблицу и построить график ρ =f(d)
- Поместить образцы в термостат и замеряя температуру и сопротивление построить график зависимости ρ =f(T) и ln σ =f()
- Определить ТКС образцов и построить график зависимости ТКС= f(d)
- Оценить погрешности результатов.
Таблица 2
|
|
N | d | R | ρ | ТКС |
… |
Таблица 2
T, К | |||||||||
N 1 | R, Ом | ||||||||
N 2 | R | ||||||||
N 3 | R | ||||||||
… |
Контрольные вопросы:
- Где используются тонкие пленки?
- Чем пленки отличаются от объемных образцов? Почему?
- Чем обусловлен характер зависимости ρ =f(d)?
- Какими процессами обусловлен характер зависимости R =f(T)?
- Объяснить зависимость ТКС= f(d).
- В чем заключается классические размерные дефекты?
- В чем заключается квантовые размерные дефекты?
Литература:[6] – 2.1; 10.