Пусть в последовательной цепи, состоящей из R, L, C элементов, протекает ток , тогда напряжение на емкости .
Магнитная энергия индуктивности . Энергия, накопленная на емкости . Поскольку , то . В каждый момент времени суммарная энергия контура в режиме резонанса
, (4.6)
т.е. в контуре происходит обмен энергии между индуктивностью и емкостью. Сумма энергий магнитного и электрического полей остается неизменной. Энергия, которая потребляется от источника, равна только тепловой, выделяемой на активном сопротивлении контура.
4.1.2. Частотные и резонансные характеристики последовательного RLC -контура
Зависимости параметров контуров RLC -контура от частоты называют частотными характеристиками. Это индуктивное сопротивление , емкостное сопротивление , реактивное сопротивление , активное сопротивление , полное сопротивление
, угол сдвига фаз . Качественный вид этих характеристик приведен на рис. 4.4.
В момент резонанса .
Зависимости тока I (w), напряжения на индуктивности UL (w),напряжения на емкости UC (w) называют резонансными характеристиками.
|
|
. (4.7)
Графики этих характеристик при добротности Q = 2 представлены на рис. 4.5. При добротности контура Q < 5 максимумы напряжений UL и UC смещаются друг от друга на одно и то же значение частоты от резонансной w0. При добротности контура Q > 5 максимумы этих напряжений при резонансной частоте w = w0сливаются. |
Если частота w = 0, то XC = ¥, XL =0 (рис. 4.6, а). При этом условии
.
Если частота равна резонансной , то X = 0 (рис. 4.6, б). При этом .
Если , тогда (рис. 4.6, в). При этом .
Из приведенных характеристик следует, что RLC - контур обладает избирательными свойствами. Самое большое значение тока имеет место в режиме резонанса (w = w0). Для оценки избирательных свойств контура вводят понятие полосы пропускания контура. Она равна разности частот, которым соответствует отношение до и после резонанса, равное .
Параметры цепи оказывают большое влияние на избирательность. Чем больше добротность контура, тем выше его избирательность. В этом можно убедиться при рассмотрении кривых на рис. 4.7 ( – отношение тока текущей |
частоты к току резонансной частоты; – отношение текущей частоты к резонансной. Чем больше добротность контура, тем лучше его избирательные свойства и тем меньше полоса пропускания.
4.1.3. Зависимости I, UL, UC от L и С
Режим резонанса напряжений в RLC -цепи можно достигнуть, не только изменяя частоту, но и изменяя параметры индуктивности и емкости. Представим электрические схемы последовательного RLC -контура при L = 0, L = L0 (индуктивность достижения резонанса), L ® ¥ (рис. 4.8).
Значения I (L), UL (L), UC (L) для каждой схемы даны в табл. 4.1.
|
|
Таблица 4.1
L | |||
L 0 | |||
¥ | U вх |
Электрические схемы RLC -контура при С = 0, С = С 0(значение емкости при резонансе), С ® ¥ представлены на рис. 4.9.
Значения I (C), UL (C), UC (C) для каждой схемы даны в табл. 4.2.
Таблица 4.2
C | |||
U вх | |||
C 0 | |||
¥ |
Характер изменения зависимостей I (L), UL (L), UC (L), I (C), UL (C), UC (C)представлен на рис. 4.10.