Пусть в последовательной цепи, состоящей из R, L, C элементов, протекает ток
, тогда напряжение на емкости
.
Магнитная энергия индуктивности
. Энергия, накопленная на емкости
. Поскольку
, то
. В каждый момент времени суммарная энергия контура в режиме резонанса
, (4.6)
т.е. в контуре происходит обмен энергии между индуктивностью и емкостью. Сумма энергий магнитного и электрического полей остается неизменной. Энергия, которая потребляется от источника, равна только тепловой, выделяемой на активном сопротивлении контура.
4.1.2. Частотные и резонансные характеристики последовательного RLC -контура
Зависимости параметров контуров RLC -контура от частоты называют частотными характеристиками. Это индуктивное сопротивление
, емкостное сопротивление
, реактивное сопротивление
, активное сопротивление
, полное сопротивление
, угол сдвига фаз
. Качественный вид этих характеристик приведен на рис. 4.4.
В момент резонанса
.
Зависимости тока I (w), напряжения на индуктивности UL (w),напряжения на емкости UC (w) называют резонансными характеристиками.
. (4.7)
| Графики этих характеристик при добротности Q = 2 представлены на рис. 4.5. При добротности контура Q < 5 максимумы напряжений UL и UC смещаются друг от друга на одно и то же значение частоты от резонансной w0. При добротности контура Q > 5 максимумы этих напряжений при резонансной частоте w = w0сливаются. |
Если частота w = 0, то XC = ¥, XL =0 (рис. 4.6, а). При этом условии
.
Если частота равна резонансной
, то X = 0 (рис. 4.6, б). При этом
.
Если
, тогда
(рис. 4.6, в). При этом
.
Из приведенных характеристик следует, что RLC - контур обладает избирательными свойствами. Самое большое значение тока имеет место в режиме резонанса (w = w0). Для оценки избирательных свойств контура вводят понятие полосы пропускания контура. Она равна разности частот, которым соответствует отношение
до и после резонанса, равное
.
| Параметры цепи оказывают большое влияние на избирательность. Чем больше добротность контура, тем выше его избирательность. В этом можно убедиться при рассмотрении кривых на рис. 4.7 ( – отношение тока текущей |
частоты к току резонансной частоты;
– отношение текущей частоты к резонансной. Чем больше добротность контура, тем лучше его избирательные свойства и тем меньше полоса пропускания.
4.1.3. Зависимости I, UL, UC от L и С
![]() |
Режим резонанса напряжений в RLC -цепи можно достигнуть, не только изменяя частоту, но и изменяя параметры индуктивности и емкости. Представим электрические схемы последовательного RLC -контура при L = 0, L = L0 (индуктивность достижения резонанса), L ® ¥ (рис. 4.8).
Значения I (L), UL (L), UC (L) для каждой схемы даны в табл. 4.1.
Таблица 4.1
| L | | | |
| | ||
| L 0 | | | |
| ¥ | U вх |
![]() |
Электрические схемы RLC -контура при С = 0, С = С 0(значение емкости при резонансе), С ® ¥ представлены на рис. 4.9.
Значения I (C), UL (C), UC (C) для каждой схемы даны в табл. 4.2.
Таблица 4.2
| C | | | |
| U вх | |||
| C 0 | | | |
| ¥ | | |
Характер изменения зависимостей I (L), UL (L), UC (L), I (C), UL (C), UC (C)представлен на рис. 4.10.
| |








