Электропроводность полупроводниковых материалов
Выражение для электропроводности полупроводника в общем случае может быть записано в виде:
, (1.2.1)
где еi, ni, mi - соответственно заряд, концентрация и подвижность носителей заряда; индекс “ i ” относится к типу носителей заряда (электроны и дырки). Если в электропроводности участвуют один тип электронов и один тип дырок, то:
. (1.2.2)
Для собственного полупроводника, где соблюдается условие n = p = n i получим:
. . (1.2.3)
В случае полупроводника n -типа (nn >> pn) или p -типа (pp >> np) проводимость может быть представлена следующими выражениями:
. (1.2.4)
Нетрудно увидеть, что величина электропроводности полупроводника зависит от внешних условий (температуры, освещенности, силовых полей и т. д.) и внутренних характеристик материала (зонная энергетическая структура, уровень легирования примесями, дефектность кристаллической решетки и т. д.), т.е. от тех факторов, которые определяют величину концентрации и подвижности носителей заряда.