Как известно, проводимость вещества прямо пропорциональна концентрации носителей тока . Удельную проводимость в собственных (без примесей) полупроводниках можно выразить формулой:
(7.1),
где – энергия Ферми, равная . Уровень Ферми в собственых полупроводниках находится посередине запрещенной зоны шириной между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны.
При очень низкой температуре преобладает примесная проводимость. Собственная проводимость очень мала. С ростом температуры примесная проводимость достигает своего максимального значения и перестает изменяться уже при комнатной температуре. Удельную проводимость в примесных полупроводниках можно расчитать по формуле:
(7.2)
|
|
в этом случае уровень Ферми смещается ближе к примесному уровню энергии.
Для донорной примеси , т.е. уровень Ферми лежит немного ниже нижнего уровня зоны проводимости (). Основными носителями тока в этом случае являются свободные электроны в зоне проводимости.
Для акцепторной примеси , т.е. уровень Ферми лежит немного выше верхнего уровня валентной зоны (). Основными носителями тока в этом случае являются дырки в валентной зоне.
Положение уровня Ферми слабо зависит от температуры, и при решении задач можно считать его неизменным.
Постоянная Больцмана k = 1,38×10–23Дж/К
Задача 12
Ширина запрещенной зоны у алмаза =7 эВ. Во сколько раз возрастет электропроводность алмаза при нагревании от 0°С до +10°С?
Решение:
По формуле (7.1) определим удельную электропроводность при разных температурах и и найдем отношение :
Ответ: в 191 раз
7-1. Ширина запрещенной зоны у кремния =1,1 эВ.
а) Во сколько раз возрастет электропроводность кремния при нагревании от 0°С до +10°С?
б) На сколько увеличился натуральный логарифм удельной проводимости () кремния при нагревании от 0°С до +10°С?
Ответы: а) в 2,28 раза; б): 0,825
7-2. Найти ширину запрещенной зоны у алмаза (в эВ), если электропроводность алмаза при нагревании от 0°С до +10°С возрастает в n = 191 раз.
Ответ: 7 эВ
7-3. Ширина запрещенной зоны у алмаза =7 эВ. Первоначальная температура алмаза 0°С. До какой температуры (в °С) его нагрели, если его электропроводность возросла в n = 191 раз?
Ответ: 10°С
7-4. Найти ширину запрещенной зоны у собственного полупроводника, если натуральный логарифм его удельной проводимости () при нагревании от 0°С до +10°С увеличился на n = 5?
|
|
Ответ: 6,66 эВ
7-5. Уровень Ферми в собственном полупроводнике лежит на расстоянии = 0,4 эВ выше верхнего уровня валентной зоны. Во сколько раз возрастет электропроводность этого полупроводника при нагревании от 0°С до +10°С?
Ответ: 1,82 раза
7-6. На каком расстоянии (в эВ) от нижнего уровня зоны проводимости лежит уровень Ферми в собственном полупроводнике, если электропроводность этого полупроводника при нагревании от 0°С до +10°С возрастает в n =4 раз?
Ответ: 0,924 эВ
7-7. Уровень Ферми в собственном полупроводнике лежит на расстоянии = 0,4 Эв выше верхнего уровня валентной зоны. Начальная температура полупроводника 0°С. Во сколько раз возрастет электропроводность этого полупроводника при увеличении температуры в n = 1,5раза?
Ответ: 288 раз
7-8. Уровень Ферми в собственном полупроводнике лежит на расстоянии = 0,4 эВ ниже нижнего уровня зоны проводимости. Натуральный логарифм концентрации свободных носителей заряда в этом полупроводнике изменился на величину = 5 при увеличении температуры в 1,5раза? Найти начальную температуру полупроводника.
Ответ: 309 К
7-9. Ширина запрещенной зоны полупроводника р -типа равна =1 эВ. Акцепторные уровни лежат на расстоянии = 0,01 эВ выше выалентной зоны. Концентрация основных носителей заряда в таком полупроводнике при низкой температуре T 1 равна n 1. Найти концентрацию атомов примеси. Считать, что валентность атома примеси на единицу меньше валентности полупроводника. Т 1 = 30 К; n 1 = 1010 м–3.
Ответ: 4,77×1011 м–3
7-10. Ширина запрещенной зоны полупроводника n -типа равна =1,1 эВ. Доноррные уровни лежат на расстоянии = 0,01 эВ ниже зоны проводимости. Концентрация основных носителей заряда в таком полупроводнике при низкой температуре T 1 равна n 1. Найти концентрацию атомов примеси. Считать, что валентность атома примеси на единицу больше валентности полупроводника. Т 1 = 30 К; n 1 = 1010 м–1.
Ответ: 4,77×1011 м–3