Образец кремния n -типа, находящийся в состоянии термодинамического равновесия при температуре 300 К, характеризуется следующими параметрами: удельное сопротивление 5 Ом·см: подвижность электронов 1600 см2·В–1·с–1; подвижность дырок 600 см2·В–1·с–1; собственная концентрация носителей 1,4·1010 см–3 и эффективная плотность уровней в зоне проводимости 1019 см–3. Определите: а) концентрацию электронов и дырок; б) положение уровня Ферми; в) вероятность событий, состоящих в том, что донорный уровень занят и свободен. Известно, что Ес – Еd = 50 мэВ.
Решение:
а) Запишем уравнения, определяющие удельную объемную проводимость, а также уравнение полупроводника (закон действующих масс):
σ = q (μ n n+ μ pp); np = .
Объединяя эти две формулы, получаем
, т.е.
,
откуда n = 0,8·1015 см–3.
Воспользовавшись уравнением полупроводника, получаем
p = 2,45·105 см–3.
б) Известно, что
.
Подставляя соответствующие значения, находим
,
Откуда Ec – E F = 0,244 эВ.
в) Вероятность того, что донорный уровень заполнен,
|
|
.
Так как Ec – E F = 0,244 эВ, Ec – Ed = 0,05 эВ, то Ed – E F = 0,194 эВ, откуда
Итак, вероятность того, что донорный уровень занят, т.е. относительная доля ионизированных атомов с занятым донорным уровнем, составляет 0,057 %. В то же время относительная доля ионизированных атомов с незанятым донорным уровнем равна 99,943 %.
Интересно отметить, что с ростом концентрации донорных атомов Nd уровень Ферми приближается к границе зоны проводимости. При этом возрастает вероятность того, что он будет занят, и уменьшается относительная доля ионизированных донорных атомов. Аналогичные рассуждения применимы и в случае акцепторной примеси. Если уровень EF приближается к границе валентной зоны, то число дырок возрастает, а концентрация электронов уменьшается.