double arrow

Глава 10. Электронное оборудование и его производство

Электронное оборудование САС в основном будет состоять из 4-х групп аппаратуры: 1) систем ЧПУ и программных контролеров станков, роботов, другого оборудования, 2) систем технического зрения сборочных и других робототехнических средств, 3) управляющих ЭВМ, 4) банков данных и программ.

В народном хозяйстве применяются системы ЧПУ 3-х классов: 1) класса NC - построенные на базе специальных блоков с жесткой реализацией первоначально заложенных в них функций; 2) класса CNC - на базе максимального использования стандартных средств вычислительной техники (мини- и микро-ЭВМ), характеризуется мягкой логикой с возможностью изменения функций путем перепрограммирования; 3)класса MPST - децентрализованные мультипроцессорные системы, содержащие большое число вычислителей (микропроцессоров) и являющиеся дальнейшим развитием систем, обладает максимальной скоростью и универсальностью, облегчают программирование. Системы класса NC - просты, надежны, но требуют специальных методов программирования и узкоспециализированы под конкретное оборудование, что затрудняет их серийное производство. Системы класса CNC и MPST - напротив, программируются общепринятыми способами, могут быть переналажены на различные типы станков и машин, состоят из типовых микросхем., выпускаемых большими сериями.Но достигается все это огромной аппаратной избыточностью (т.е. большая часть элементов микросхем - транзисторов и т.д. не используется). В САС могут быть использованы системы ЧПУ всех трех классов, удовлетворяющие требованиям высокой надежности (наработка на отказ), необходимой дискретности и скорости управления приводами, способностью управления требуемым числом координат и вспомогательных функций (сменой инструмента, заготовок и т.д.), в т.ч. с элементами адаптивной связи (контроль износа инструмента, размеров обрабатываемой детали и т.д.).

Одной из наиболее совершенных отечественных систем ЧПУ класса CNC, которая может быть применена на первых этапах создания САС, является СЧПУ «Электроника МС2101», состоящая из 3-х микроЭВМ (или 2-х), одновременно управляющая 4-мя координатами, осуществляющая интерполяцию типа линейной, круговой, винтовой, полной окружности, имеющая дискретность задания размеров - 0,001 мм, скорость рабочих подач - 0,1-15000 мм/мин., потребляемая мощность - 0,36 кВт, масса - 100 кг, наработка на отказ - 5000 час., стоимость (модель МС2101.05.01 для токарного обрабатывающего центра) - 12460 руб. в ценах 1991 г. Различные модификации этой системы ЧПУ применяются в обрабатывающих центрах (в т.ч. типа ИР800МФ4, ИР500МФ4, ИР320МФ4), в токарных станках, роботах и т.д. На основе СЧПУ «МС2101» в ЛГТУ разработана СЧПУ ЧС.02 для использования в проекте «КИБЕР».

Аппаратная часть каждой из микро-ЭВМ СЧПУ «МС2101» включает в себя один однокристальный процессор К1801ВМ1Г (содержащий 200 тыс. элементов) и ОЗУ емк. 32 слов на 32 шт БИС типа КР655РУ6 (по 16 кбит и 64 тыс. элементов в каждой). В общей сложности только в перечисленных БИС (в расчете на всю СЧПУ) содержится: 3×(200+5х120+32х64) = 8544 тыс. элементов, а с учетом других микросхем не менее 10 млн. элементов (транзисторов и т.д.) на одну систему.

Однако не обязательно ЧПУ современного станка или обрабатывающего центра должно иметь такое мощное аппаратное обеспечение.

Сравнительный анализ различных систем ЧПУ, сделанный отдельными специалистами (Кошкин В. Л. и другие) показывает, что современные системы класса CNC (ЧПУ на основе микро-ЭВМ) и класса MPST (мультипроцессорные ЧПУ), построенные на стандартных БИС, обладают значительной аппаратной избыточностью. Их предшественники - системы класса NC (ЧПУ на основе специальных блоков), при тех же технических характеристиках (дискретность, скорость перемещения, число координат и т.д.) требуют в 750-240000 раз меньше электронного оборудования (в пересчете на число транзисторов и других элементарных компонентов), чем системы CNC и NC.1 Например, общее число транзисторов в ЧПУ «Дельта-122» (для токарной обработки особо сложных деталей) - 173400, ЧПУ «Дельта-386» (для 8-координатных спецстанков) - 56500, ЧПУ МГА NC-АТ (по основным характеристикам превосходящая японскую систему «Фанук-ОТ») - 95860, ЧПУ «Контур 2М 1104» (для обрабатывающих центров) -...............2 При создании элементной базы этих ЧПУ на специальных БИС. можно сократить стоимость 1 управляемой координаты до 100-500 руб. вместо 5000-10000 руб. в системах класса CNC и MPST в ценах 80-ых годов. В связи с этим можно допустить возможность изготовления всего ЧПУ класса NC на 1 кристалле СБИС со средним содержанием 100 тыс. компонентов. Для 100 систем ЧПУ потребуется тогда 100 тыс. шт СБИС с 10 млн. компонентами.

Большинство серийно выпускаемых СТЗ состоят из: 1) телевизионной камеры на базе видикона или ПЗС-матрицы; 2) блока предварительной обработки изображений; 3) персональной ЭВМ для обработки изображений; 4) алфавитно-цифрового дисплея с клавиатурой для работы с СТЗ; 5) видеоконтрольного устройства (ВКУ, монитор) для воспроизведения изображений. Иногда персональная ЭВМ отсутствует, и вся обработка производится в блоке предварительной обработки изображений. Средняя цена выпускаемых СТЗ - 30 тыс. дол., но есть и стоимостью 5-8 тыс. дол. (например, НS-1000/-2000/-3000/-4300 фирмы Ham Industries Inc. или Series 2000 и Model 4200 фирмы Octek.)3

Важнейшими характеристиками СТЗ являются размещающая способность, число градаций и быстродействие. Обычно для заводских операций оказывается достаточным разрешение до 512х512 элементов и число градаций - до 256. Требования по быстродействию, как правило, предполагают обработку десятков и даже сотен изображений в минуту, что требует большой вычислительной мощности СТЗ. Например, при размере изображения 512х512 элементов, числе градаций 256 и быстродействии - 10 изображений в секунду, СТЗ должна переработать 2,5 Мбайт информации - за 1 сек. Высокое быстродействие достигается за счет: перехода к обработке двухградиентных изображений; обработке не полных изображений, а лишь отдельных фрагментов; использование быстродействующих алгоритмов; применения быстродействующих ЭВМ.

Большинство современных СТЗ имеют разрешение - 256х256 элементов и много градаций (82% всех СТЗ в 1990 г.). Причем среди последних преобладают системы, которые много градаций яркости используют только при операции ввода изображения. После этого на основании гистограммы распределения яркости элементов изображения аппаратно или программно выбирается порог бинаризации, изображение преобразуется в бинарное и вся дальнейшая обработка идет на бинарном изображении. СТЗ, полностью обрабатывающие многоградационное изображение применяются редко. Обычно к СТЗ подключается одна телевизионная камера, но некоторые СТЗ допускают работу с несколькими камерами (например, Autovision II и Autovision IV фирмы Automatik Inc. - до 8 и 16 камер соответственно). С помощью коммутатора телевизионные камеры переключаются, и обработка изображения производится последовательно с различных камер. Многокамерные СТЗ наиболее эффективны при сборке, т.к. позволяют наблюдать рабочую позицию с нескольких сторон одновременно. Например, одна телекамера жестко закреплена для общего обзора, а вторая крепится на схвате робота.

Среди телевизионных камер СТЗ наиболее распространены ПЗС-матрицы (78% всех СТЗ в 1990 г.), менее - передающие телевизионные трубки (видиконы) (11%) и фотодиодные матрицы (11%). ПЗС-матрицы представляют собой полупроводниковую подложку, покрытую тонким слоем окисла, на которую нанесена система электродов.

Современные системы технического зрения (СТЗ) стоят от 100 тыс. дол. (Robovision II-V фирмы «Automatik» с разрешением 512х512 и 64 градациями яркости) до 12-16 тыс. дол. (модель фирмы Intelledex Inc. с разрешением 256х256 и 64 градациями яркости).4 Фирма International Robomation/Intelligence выпускает СТЗ с разрешением 256х256 элементов при 256 уровнях квантования видеосигнала и включает в себя 3 основных части: центральный микропроцессор МС68000 (с частотой генерации 12 МГц, быстродействием ок. 1 млн. опер./сек., ОЗУ - 64 кбайт, ПЗУ - 16 кбайт), блок оцифровки и предварительной обработки изображений и сопроцессор (с конвейерной структурой, быстродействием до 20 млн. опер./сек., ОЗУ - 32 кбайт). Базовый вариант СТЗ (центральный процессор и платы оцифровки и предобработки) стоит 4995 дол.5 В печати упоминалось о разработке фирмой Colhe Robotics СТЗ COLVIS стоимостью всего 400 ф. ст. (но разрешение их только 64х64 элемента).6 Главным направлением удешевления СТЗ является разработка специальных СБИС для параллельной обработки видеоинформации. С этой целью в Stanford Univ. (США) разрабатываются универсальные СБИС на N-канальных МОП-транзисторах для параллельной реализации алгоритмов технического зрения. Каждому элементу изображения будет поставлен свой отдельный процессор. В качестве функционального прототипа использования ЭВМ КС-10 фирмы ДЕС (производительностью 8,7 млн. опер./сек. 8-разрядных чисел). Для получения такой производительности потребуется разместить на 1 плате 16384 процессора, выполняющих по 530 опер./сек. при тактовой частоте 4,2 кГц.7

Отечественными специалистами С. Е. Решетниковым и Г. С. Рычковым выполнен расчет такой матричной системы процессоров на одной СБИС. Каждому элементу изображения будет соответствовать ячейка СБИС, состоящая из фотоприемника (фотодиода, фотосопротивления, фототранзистора), элементарного процессора аналого-цифрового преобразователя. Число транзисторов в процессоре (ЭП), состоящим из сумматора (С), 2-х регистров ввода и вывода информации в сумматор (Р), памяти для хранения информации из соседних ячеек (П), комбинированной логической схемы (Л), устройства ввода-вывода информации в соседние ячейки, определяется по формуле:

,

а S процессора:

,

где lmin.- минимальный размер элемента (ширина линии), k - коэффициент между элементами в схеме, nг- число градаций яркости, a - число соединений с соседними ячейками (если с 4-мя, то a=1, если с 8-ью, то a=2), - число транзисторов в логической схеме.

При k=4, nг=100, Nk=10 число транзисторов в процессоре составит ок. 500.

Кроме того, аналогово-цифровой преобразователь, состоящий из компаратора и усилителя потребует 10-15 транзисторов.

При lmin.=0,5 мкм площадь элементарного процессора составит 113 мкм². При использовании фокусирующего растра микролинз или матрицу линз Френкеля, полученных с помощью микроэлектронной технологии, можно уменьшить площадь фотоприемника до нескольких мкм². Тогда на кристалле размером 5х5 мм можно будет разместить 18 тыс. ячеек, т.е. матрицу с разрешением» 140х140.8 Из комбинации СБИС можно будет создать СТЗ с высоким размещением и обработкой зрительной информации в реальном масштабе времени при низкой стоимости. Для СТЗ с разрешением 500х500 (250 тыс. ячеек) потребуется 14 СБИС по 18 тыс. ячеек .

Потребность в мощностях управляющих ЭВМ оценим по литературным данным о заводах-автоматах и ГПС. Из таблицы №18 видно, что для управления отечественными гибкими производственными системами требовались вычислительные мощности в десятки раз меньше, чем у одной современной ПЭВМ.

Таблица№18.

Нагрузки на управляющие ЭВМ некоторых ГПС.9

ГПС Кол-во оборудования (ед.) основных прочее станков Тип управляющей ЭВМ Произво-дитель-ность, млн. опер в сек. Емкость ОЗУ, Мбайт Внешняя память, Мбайт
             
1) АСК-100     «Электроника 60» 0,23 0,3-4  
2) АСК-10     М-6000      
3) АСК-11     М-6000      
4) АСК-20 (Талка-500)     СМ-2      
5) АСК-20     СМ-1420      
6) АСК-30-1     СМ-1      
7) АСК-30-2     СМ-1406      
8) На Нелидовском заводе гидропрессов     СМ-1      
Продолжение таб.№..18.
             
9) На Нелидовском заводе гидропрессов     СМ-1      
10) На ПО «Марий-ский машзавод»     Электроника 60 модели 15ВУМС 0,23 0,3-4  
11) На Раменском заводе «Техноприбор»     Электроника 60 модели 15ВУМС 0,23 0,3-4  
12) На Орловском заводе тракторных прицепов     СМ-1      
13) АСВ-22     М6000      
14) АСВ-21     М6000      
15) АСВ-25     СМ1      
16) АСВ-201     СМ1406      

В Японском проекте завода-автомата (1977 г.), имеющего некоторые черты самовоспроизводящейся. системы (частично реализованного в 1984 г. в г. Цукуба) был предусмотрен следующий состав управляющих ЭВМ разных уровней и функций:Таблица№19

  Число ЭВМ Общий объем памяти внутренний внешней
I) Управление в целом для внешней связи банк данных связь «человек и машина»     4 Мбайт 24 Мбайт 4 Мбайт   200 Мбайт 1200 Мбайт 200 Мбайт
II) Фирма управление заводом составление производственного плана проектирование     4 Мбайт 4 Мбайт 4 Мбайт 12 Мбайт   400 Мбайт 1000 Мбайт 2000 Мбайт 6000 Мбайт
Итого (I-II)   56 Мбайт 21800 Мбайт
III) Составление программ   640 тыс. слов -
IV) Управление заводом   576 тыс. слов -
V) Управление оборудованием   1056 тыс. слов -
VI) Регуляторы (для отдельных единиц оборудования)   520 тыс. слов -
Итого (III-VI)   2792 тыс. слов10 -

Масштабы данного завода-автомата и его производственная программа соответствует обычному заводу с 800 занятыми. Данный объем вычислительной техники можно считать достаточным для САС с избытком, т.к. часть функций (составление программ, проектирование изделий и т.д.) будет выполняться вне САС. Стремительный прогресс в области вычислительной техники привел к тому, что одна современная персональная ЭВМ имеет мощность выше всех ЭВМ этого завода. Например, ПЭВМ с процессором Пентиум III, 600 МГц с ОЗУ - 256 Мбайт и внешней памятью - 27 Гбайт, цена 1,8 тыс. дол. (в конце 1999 г.). Отдельный накопитель на жестком диске емкостью 27 Гбайт стоил от 257 дол. (есть диски емк. до 70 Гбайт).

Современная ПЭВМ содержит примерно ок. 60 микросхем (в т.ч. процессор Пентиум III с 9,5 млн. транзисторов), 200 пассивных элементов (резисторов, конденсаторов и т..), 40 разъемов (в материнской плате с процессором и ОЗУ).

Оценить потребность САС в системах хранения управляющих программ, баз данных и других массивов информации, необходимой для самовоспроизведения, даже приблизительно сложно. По данным американского проекта лунного самовоспроизводящегося комплекса для его полного технического описания и программы воспроизведения потребуется колоссальный объем информации - бит или 1250 млрд. байт.11 К сожалению, не приводятся данные о структуре и методике подсчета этой величины. Поэтому мы попробуем сделать свою оценку объема программного обеспечения отдельных производственных процессов применительно к САС, состоящей из 100 ед. оборудования из 1 млн. ед. оригинальных деталей. Ограничимся тремя наиболее информационноемкими для САС процессами: 1) механообработкой, 2) сборкой и монтажом, 3) литографическим формированием рисунка микросхем.

На практике среднее число кадров в управляющей программе обработки одной детали на станке с СПУ колеблется от 120 для токарных станков до 600 для обрабатывающих центров.12 Для одной из современных отечественных ЧПУ «Электроника МС2101.01», работающей с форматом кадра: N4G2X+ 053Y+053Z+053A+053I+053J+053K+053R+053Q+053F051D2H2S04T4B4M2L4 13 длина кадра составляет 145 байт. Если предположить, что средняя продолжительность механообработки одной детали на САС составит 360 кадров программы , а ее емкость - 52200 байт (360х145), то для САС, содержащей 1 млн. оригинальных деталей, потребуется для хранения программ механообработки емкости накопителей равные 52,2 млрд. байт.

Для оценки потребности в программном обеспечении сборки и монтажа мы располагаем только разрозненными сведениями по отдельным экспериментам роботизированной сборки небольших узлов и изделий. В частности, в экспериментах по сборке масляного насоса с помощью двух роботов УЭМ-2 (управляемых от мини-ЭВМ М6000), выполненным в ИПМ им. М. В. Келдыша АН СССР, использовался следующий объем программного обеспечения (количество слов): 14Таблица№20

  Объем памяти Используемый массив
1) Модуль задания и редактирования плана сборки    
2) Модуль задания и редактирования планов сборочных операций    
3) Модуль задания и редактирования планов условий    
4) Модуль задания и редактирования контуров движения    
5) Модуль задания и редактирования коэффициентов следящей системы    
6) Модуль управления автоматической сборкой    
Итого    

Всего для сборки потребовались программы и массивы данных объемом 71700 16-разрядных слов или 143,4 тыс. байт. Если учесть, что масляный насос состоял из 17 деталей, то в расчете на 1 деталь пришлось 8,4 тыс. байт. Если принять такую же пропорцию в среднем для САС, тогда можно предположить, что для сборки 1 млн. деталей потребуется 8,4 млрд.. байт программного обеспечения. Но эта оценка заниженная, т.к. на учитывает манипуляции со сложными и крупными деталями, общую сборку и монтаж оборудования и т.д. Кроме того, здесь не учтены особенности работы роботов с системами технического зрения. Наличие последних потребует выделения большого объема носителей информации для хранения эталонных изображений деталей, программ обработки изображения и т.д. В частности, если предположить, что изображение каждой детали будет храниться в виде одного черно-белого кадра с разверткой 512х512 элементов и 256 степенями градации яркости, то для 1 млн. деталей потребуется хранить байт информации, что в 31 раз превышает первоначальную оценку. Поэтому можно расценивать как минимальную потребность в информационном обеспечении сборки и монтажа объем приблизительно равный 300 млрд. байт.

Для управления электроннолучевой литографической установкой непосредственного формирования рисунка микросхемы необходимый объем входных данных определяется: объемом данных, характеризующих положение элемента рисунка (не менее 32 бит для определения положения по 2-м координатам(, размерами элемента (не менее 20 бит для 2-х сторон прямоугольного элемента), данными о погашении луча (2 бита) и о выборе управляющих команд (10 бит для выбора 1 команды из 6) и в итоге составляет 60...70 бит на один прямоугольный элемент микросхемы 15 или 8-9 байтов. Обычно для СБИС требуется не менее 8-10 операций литографии. Если исходить из того, что микросхемы каждого ЧПУ (класса CNC или MPST) будут содержать ок. 10 млн. элементов (транзисторов и т..), ПЭВМ - примерно 50 млн. элементов, одна СТЗ (с матричной системой процессоров 512х512) - около 135 млн. элементов, то общее количество разных элементов микросхем для САС будет равно 200 млн. элементов (10+50+135), а с учетом другого оборудования - 250-300 млн. элементов. В этом случае емкость банка данных для микросхем будет равна: байт.

В целом по трем производственным процессам получаем цифру порядка 380 Гбайт. Если на остальные и неучтенные операции положить 50% от приведенной цифры, то общую потребность в информационном обеспечении грубо можно оценить примерно в 550-600 Гбайт.

Хранение такой информации в жестких магнитных дисках потребует ок. 20 накопителей емкостью по 27 Гбайт общей стоимостью 5 тыс. дол. Более низкой стоимостью обладают накопители на оптических дисках (необходимо ок. 1 тыс. дисков CD-ROM общей стоимостью ок. 500 дол или 100-40 дисков.DVD), но наличие в них арсенидгаллиевых полупроводниковых лазеров и сложной технологии копирования делает проблематичным организацию производства таких накопителей на САС.

В электронном оборудовании САС в больших количествах будут применяться кроме микросхем разнообразные активные и пассивные компоненты. Их количество возможно будет превышать число используемых микросхем и других полупроводниковых приборов. Так, например, в США в 1988 г. в среднем на 1 дол. потребленных (проданных) полупроводниковых приборов было потреблено (продано) 1,9 дол. других электронных компонентов, в т.ч. электровакуумных приборов - 0,16 дол. (более половины из них - телевизионные кинескопы), источников питания - 0.16 дол., СВЧ-компонентов - 0,03 дол., буквенно-цифровых индикаторов - 0,03 дол., переключателей и клавиатуры - 0,09 дол., соединителей - 0,28 дол., межсоединительных устройств (носители кристаллов, гнезда панелей корпусов и т.д.) - 0,05 дол., печатных схем - 0,40 дол., проводов и кабелей - 0,19 дол., магнитных компонентов (силовые трансформаторы, дроссели и т.д.) - 0,07 дол., пассивных фильтров и цепочек - 0,02 дол., кварцевых кристаллов - 0,02 дол., гибридных схем и модулей - 0.09 дол., реле - 0.05 дол., конденсаторов - 0,10 дол., резисторов - 0,08 дол., датчиков (давления, температуры, движения и т.д.) - 0,01 дол.16 В количественном выражении число полупроводниковых деталей, установленных в электронном оборудовании, значительно превышает количество микросхем. Ориентировочный для САС уровень и структуру различных электронных компонентов можно определить на примере отдельных видов оборудования. Так, например, управляющая система робота «Пума 600» (без учета управляющей ЭВМ DEC LSI-11 и блока памяти) содержит 1758 компонента, в т.ч.: 23 печатные платы, 248 микросхем (в т.ч. 6 микропроцессоров и 7 микросхем ППЗУ), 91 диод, 41 транзистор, 617 резисторов, 32 резисторных ячейки, 504 конденсатора, 66 потенциометров, 48 твердотельных реле, 48 штекеров, 26 колодок, 7 цифро-аналоговых преобразователя, 6 компараторов, 1 кварцевый генератор.17 Для САС с числом единиц программируемого управляемого оборудования равным 100 это будет означать наличие нескольких сотен тысяч электронных компонентов.

Однако существует долговременная тенденция сокращения общего числа компонентов (в т.ч. и пассивных) с ростом уровня интеграции микросхем. Широкое использование в электронном оборудовании САС сверхбольших интегральных схем может существенно сократить число других компонентов. Кроме того, использование в технологии производства микросхем на САС электроннолучевой литографической установки позволит «индивидуализировать» микросхемы, сделать их под заказ для каждого конкретного станка, робота и другого оборудования. Это даст возможность реализовать множество дополнительных функций в каждой цельной микросхеме, достигаемое сейчас путем комбинации нескольких типовых микросхем с промежуточными пассивными элементами и множеством соединений между ними (в промышленности выпускать индивидуальные микросхемы пока не рентабельно). Однако полное вытеснение пассивных компонентов полупроводниковой технологии маловероятно даже в отдаленном будущем. Поэтому их производство в случае полного самообеспечения САС должно быть обязательно организовано.

Самым массовыми электронными компонентами являются конденсаторы и резисторы. В радиоэлектронике применяются конденсаторы: 1) бумажные и металлобумажные; 2) пленочные и металлопленочные; 3) электролитические и оксидно-полупроводниковые; 4) тонкопленочные конденсаторы микросхем; 5) полупроводниковые; 6) конденсаторы переменной емкости (настроечные); 7) керамические; 8) слюдяные, стеклянные и стеклокерамические.

Изготовление бумажных, металлобумажных и слюдяных конденсаторов на САС исключено из-за отсутствия необходимых материалов. Керамические, стеклянные и стеклокерамические также вряд ли могут быть изготовлены на САС, т.к. обкладки их получают из серебра (вжиганием паст и т.д.) - дефицитного материала. Электролитические алюминиевые конденсаторы, обладающие высокой удельной емкостью, изготовляются по сложной технологии (щеточная зачистка, травление и электрохимическое оксидирование анодной алюминиевой фольги, намотка фольги с прокладкой и выводами в секцию с одновременной пропиткой электролитом, монтаж резиновой прокладки, электротренировка секции, промывка и сушка, монтаж в корпус, покрытие герметиком). Оксидно-полупроводниковые алюминиевые конденсаторы также трудновоспроизводимы на САС из-за сложной технологии изготовления (прессование анода из порошка алюминия, спекание анода в вакуумной печи при 1900°С, электрохимическое оксидирование анода в растворе ортофосфорной кислоты, промывка и сушка анодов, монтаж защитного экрана, гальваническое меднение контактного слоя, сборка).

Наиболее просты и совместимы с технологией других изделий для САС процессы изготовления следующих конденсаторов: 1) металлопленочных, 2) тонкопленочных и 3) полупроводниковых. Полупроводниковые конденсаторы изготовляются из тех же материалов и теми же способами, что и кремниевые микросхемы, но они не получили распространения из-за малой емкости (до 20 ПФ) и нестабильных параметров. Более высокие показатели имеют тонкопленочные конденсаторы, состоящие из ситалловой подложки (подложки из закристаллизованного стекла), двух алюминиевых обкладок и слоя диэлектрика между ними (из моноокиси кремния, нитрида бора и т.д.), проволочных выводов. Они изготавливаются на серийном оборудовании полупроводниковых производств по очень сходной технологии. На ситалловую подложку, обработанную аналогично кремниевой полупроводниковой пластине (шлифовка, полировка, промывка и т.д.), в установке вакуумного напыления наносятся последовательно нижний алюминиевый слой и верхний алюминиевый слой. Диэлектрический слой наносят методом пиролиза в плазме ВЧ-разряда. С помощью фотолитографической установки на верхнем алюминиевом слое формируют «окна», по которым наносят контактные площадки. После электротренировки подложку склайбируют и разделяют на отдельные секции. К секциям припаивают выводы и заливают (герметизируют) секции эпоксидным компаундом. В нашей стране по такой технологии выпускаются тонкопленочные конденсаторы К26-1 емкостью 10-750 ПФ и рабочим напряжением 16 В.18 Применительно к условиям САС контактные площадки и выводы конденсаторов желательно делать алюминиевыми и соединять их ультразвуковой сваркой. Для этого в составе оборудования «чистой» полупроводниковой комнаты может быть добавлена фотолитографическая установка упрощенной конструкции, чтобы не перегружать основное литографическое оборудование (электроннолитографическую установку и т.д.). Кроме одиночных конденсаторов по этой технологии могут создаваться сборки из большого числа конденсаторов, в т.ч. и с добавлением резисторов, изготовленных на ситалловой подложке по такой же технологии. При наложении подложек друг на друга возможно получение многослойных конденсаторных сборок большой емкости. Удельная емкость тонкопленочных конденсаторов (с диэлектриком из моноокиси кремния) равна 5000-15000 ПФ/см² площади обкладок.19 Это означает, что на подложке диаметром 35 мм можно сделать сборку конденсаторов общей емкостью почти до 100000 пФ (0,1 мкФ), а при наложении 10 подложек (толщиной ок. 0,3 мм) друг на друга можно получить сборку толщиной 3 мм, диаметром 35 мм (объемом ок. 3 см³) и емкостью 1 мкФ (или 0,33 мкФ/см³). Это значительно меньше удельных емкостных характеристик электролитических конденсаторов (например, конденсатор К50-16 емкостью до 10000 мкФ имеет диаметр 34 мм, высоту 90 мм, массу 150 г, объем 81,7 см³ 19 или 122 мкФ/ см³, т.е. в 366 раз больше, чем тонкопленочная сборка), но более простая технология изготовления этот недостаток для САС компенсирует. Оценочные расчеты показывают, что увеличение размеров конденсаторов существенно не скажется на конструкциях электронного оборудования. Так, например, управляющая система робота «Пума 600» содержит 504 конденсатора, в т.ч. емкостью до 1000 пФ - 76 шт, 1500-10000 пФ - 227 шт, 0,1 мкФ - 112 шт, 1 мкФ - 30 шт, 2,2 мкФ - 12 шт, 22 мкФ - 47 шт.17 При условии изготовления всех конденсаторов постоянной емкостью до 1 мкФ по тонкопленочной технологии для робота «Пума 600» потребовалось бы 436 ситалловых подложек диаметром 35 мм общим объемом ок. 131 см³.

Конденсаторы большой емкости (например, более 1 мкФ) на САС целесообразно делать металлопленочными. Хотя удельная емкость последних так же существенно уступает электролитическим конденсаторам (примерно в 50 раз), но они достаточно технологичны. Металлопленочные конденсаторы для электронного оборудования изготавливаются из металлизированной алюминием полимерной пленки по технологии, близкой производству силовых пленочных конденсаторов, но более упрощенной. Металлизованная пленка с заложенными в нее лепестками выводов наматывается в секцию на намоточном станке. После этого секция устанавливается в корпус и герметизируется или сразу закладывается в пресс-форму и заливается эпоксидным компаундом, который становится одновременно корпусом и герметиком готового конденсатора. Обе операции могут быть выполнены на уже описанном станке рядовой намотки и малогабаритном прессе общего назначения. Замена всех конденсаторов большой емкости на металлопленочные не приведет к существенному увеличению габаритов электронного оборудования. Например, для управляющей системы робота «Пума 600» потребуется 59 конденсаторов емкостью 2,2 мкФ и 22 мкФ диаметром по 22 мм и длиной 48 мм, объемом 18,2 см³ 20 (удельной емкостью - 1,2 мкФ/см³), которые займут объем ок. 1 дм³.

Резисторы в электронном оборудовании применяются в основном следующих типов: 1) угольные, 2) металлопленочные, 3) проволочные, 4) переменные, 5) тонкопленочные, толстопленочные и полупроводниковые резисторы микросхем. Наиболее широко распространены угольные и металлопленочные резисторы. Схема их производства в общем виде следующая: 1) изготовление керамического основания в виде трубочки - из каолина, кварцевого песка, электродного мрамора, углекислого бария (сырье измельчается, смешивается, прессуется, затем основания обжигаются и калибруются по размерам); 2) нанесение на основание резистивной пленки для угольных резисторов пиролизом паров гептата в вакуумной печи, а для металлопленочных - испарением металлической пленки (из сплава МЛТ, силицидов, керметов, нихрома и т.д.) в вакуумной установке; 3) напрессовка с торцов металлических колпачков с выводами; 4) нарезка в средней части резистивной пленки спиральных канавок (для повышения сопротивления); 5) покрытие резистора защитным лаком; 6) электротренировка и разбраковка резисторов. Описанная технология в принципе воспроизводима на САС без привлечения специального оборудования: керамические основания изготовляются как обычные керамические изделия, напыление угольной и металлической пленки может осуществляться на оборудовании полупроводникового производства (соответственно - диффузионной печи и установки вакуумного напыления), напрессовка штампованных металлических колпачков с выводами производиться может сборочным роботом со специальными приспособлениями, для нарезки винторезной канавки может быть приспособлен настольный винторезный токарный станок. И только для электротренировки и разбраковки могут потребоваться небольшие специальные установки. С точки зрения доступности применяемых материалов для условий САС наиболее предпочтительны угольные резисторы.

Однако общее количество резисторов, необходимых для электронного оборудования САС, будет, видимо, достаточно большое. Поэтому целесообразно максимально упростить процесс их изготовления. Наилучшим образом этой задаче отвечает технология тонкопленочных резисторов, изготавливаемых так же, как и тонкопленочные конденсаторы на ситалловой подложке оборудованием полупроводниковых производств. На подложку в установке вакуумного напыления наносится резистивная пленка из сплава РС (30% Cr, остальное Si), сплава МЛТ-ЗМ, керметов (типа Cr-SiO2), силицидов и т.д.) через предварительно нанесенную фотолитографическим способом маску (или через металлическую маску, вырезанную электроискровым способом). Полученная после этого на подложке зигзагообразная дорожка представляет собой готовый резистор. По фотолитографической технологии на обезжиренную подложку напыляют слой алюминия, который затем по фотолитографической маске вытравливают фосфорной кислотой. Напыляют слой нихрома и стравливают его с алюминиевым слоем фосфорной кислотой. Затем подложку очищают кислотой HF и покрывают с оставшимся нихромом слоем алюминия. С помощью фотолитографии вытравливают алюминий кроме контактных площадок и внутрисхемных соединений. Покрывают подложку защитным слоем стекла Al2O3-SiO2 из газовой фазы. С помощью литографии создают в защитном слое окна для контактных площадок, напыляют в них алюминий и подсоединяют внешние выводы.21 В промышленности так изготавливаются тонкопленочные резисторы в широком диапазоне сопротивлений - от 50 Ом до 100000 Ом (10 кОм).

Проволочные с большой рассеивающей мощностью и переменные резисторы, требующиеся в небольшом количестве, могут изготавливаться путем намотки резистивной проволоки на керамическое основание на станке рядовой намотки или настольном токарном станке с установкой специального приспособления на суппорте.

Остальные пассивные электронные компоненты будут применяться на САС в значительно меньших объемах, чем конденсаторы и резисторы, что позволяет широко применять неспециальное оборудование различных технологических процессов.

Печатные платы из-за малого их количества не целесообразно изготавливать наиболее распространенным, но сложным химическим способом, требующим травильных ванн, специальных фотолитографических установок, дорогих трафаретов и т.д. Приемлем более простой метод, применяемый в опытных и мелкосерийных производствах - механическое контурное фрезерование металлизированной поверхности основания платы на станке. Примером является фрезерный станок LPKF, созданный западногерманской фирмой LPKF Jürgen Seebach GmbH. Управляемый от микропроцессора Intel 8080, станок с помощью конической фрезы прорезает канавки в металлической фольге платы и сверлит сквозные отверстия под навесные компоненты. Весь процесс изготовления платы идет без оператора автоматически по программе. Минимальная ширина дорожки - 0,2 мм, диаметр отверстия - 0,9 мм. Для изготовления одной печатной платы размером 7,6х10,2 см станку потребуется в зависимости от сложности рисунка от 5 до 20 мин. Для работы с экспериментальными партиями и очень малыми сериями печатных плат станок оснащается одной фрезерной головкой и стоит ок. 20 тыс. дол. (в 4-мя головками станок стоит 30 тыс. дол.).22 В условиях САС специальный станок для плат будет загружен недостаточно, поэтому операции фрезерования дорожек и сверления отверстий в печатных платах целесообразнее всего выполнять на малогабаритном многоцелевом станке с ЧПУ. Заготовки печатных плат будут изготовляться прессованием пластмассы и металлической фольги или путем вакуумного напыления алюминия на пластмассовую основу.

Но печатная плата, возможно, не самый лучший способ монтажа электронных компонентов на САС. В случае применения проводного монтажа компонентов потребность в печатных платах может отпасть.

Изготовление проводов и кабелей для монтажа электронного оборудования будет осуществляться по той же технологии и на том же оборудовании, что и прочих кабельных изделий. Потребность в особых приемах и оборудовании может возникнуть лишь при производстве особо тонкой проволоки (диаметром 20-50 мкм для присоединения кристаллов микросхем и т.д.). Здесь возможно потребуется станок для особо тонкого волочения или травильное устройство.

Соединители (розетки, штепселя, штекеры и т.д.) состоят из металлических деталей (корпусов, штырей, гнезд, пружин) и пластмассовых изоляционных деталей, которые могут быть изготовлены литьем или прессованием с последующей механической обработкой на универсальном оборудовании (на малогабаритном прессе, токарном станке, микрообрабатывающем центре и т.д.). В некоторой степени особенностью является гальваническая металлизация штырей и гнезд коррозионностойкими покрытиями для обеспечения надежного контакта (необходимо применение гальванических ванн с сопутствующим оборудованием). Наибольшая проблема для САС в технологии соединителей будет, видимо, связана с заменой коррозионностойких покрытий из драгоценных металлов (серебра, золота, палладия, платины) равноценными по надежности покрытиями из менее дефицитных материалов. Для замены серебрянных покрытий в соединениях, работающих в обычных условиях, иногда на практике используют покрытие из сплава олова с 1,2-2,5% висмута (толщиной 6-12 мкм)23 и некоторые другие.

Наиболее технологичным в условиях САС способом изготовления соединителей является горячее прессование термопластиком или заливка эпоксидной композицией пресс-формы (или формы) с предварительно собранной в ней металлической арматуры (сокращает число операций, облегчает сборку, экономит кремниевые детали, повышает герметичность соединителей).

Магнитные компоненты (трансформаторы, катушки индуктивности, дроссели и т.д.) и реле могут быть изготовлены на том же оборудовании, что электрические машины и низковольтная аппаратура. Исключение составляют только дроссели и трансформаторы с тороидальной обмоткой (чтобы не усложнять технологический процесс дополнительной обмоточной установкой, их целесообразно заменить магнитными компонентами традиционной конструкции или делать с составным сердечником, склеиваемым после намотки).

Весьма перспективным для САС является недавно разработанная американской фирмой Signal Transformer Co. Inc. планарная технология изготовления трансформаторов. Трансформатор собирается путем склеивания эпоксидным клеем двух Ш-образных магнитопроводов (из феррита или стальных пластин), между которыми предварительно укладываются друг на друга плоские рамки из диэлектрика с печатными обмотками, изолирующие прокладки и выводные рамки. Таким образом были изготовлены высокочастотные трансформаторы мощностью до 200 Вт (с удельной мощностью до 793 Вт/дм³).24 Данная технология исключает намотку катушек, упрощает шихтовку сердечника (из стали). Рамки с печатными обмотками могут быть изготовлены вакуумным или катодным напылением металла на подложки с последующим литографическим травлением на оборудовании полупроводникового производства, а ферритовые сердечники - прессованием на универсальном гидропрессе. По планарной технологии могут быть также изготовлены катушки индуктивности, дроссели, другие магнитные компонент. Определенные проблемы для САС может вызвать выбор материала для сердечников высокочастотных деталей, которые в промышленности изготавливаются из дефицитных сплавов с высокой магнитной проницаемостью, содержащих никель, кобальт (пермаллой и др.). Исследования специалистов показывают, что рационализация формы и толщины пластин обычной электротехнической стали позволяет сделать из нее сердечник трансформатора такого же качества, как из пермаллоя.25 В других случаях пермаллой и др. могут заменить более крупные сердечники из электротехнической стали. Одним из заменителей дефицитных металлов являются также ферриты.

В электронном оборудовании используются источники электропитания двух типов: 1) преобразователи тока общей электросети и 2) химические источники тока. Первые собираются из стандартных деталей (диодов, плат, трансформаторов, конденсаторов и т.д.) и их использование не требует пояснений. Использование вторых сопряжено с автономным энергоснабжением приборов, что для оборудования САС не характерно. Если же такая потребность возникает, тогда основной проблемой для САС станет замена дефицитных материалов в конструкциях химических источников тока (марганца, цинка, ртути, серебра, свинца, никеля и т.д.). Среди одноразовых (гальванических) источников наиболее доступными для САС являются железо-угольные элементы. Они состоят из стального плоского сосуда, на дно которого уложено губчатое железо (расходуемый катод) с пористостью 75-80% и очищенное от окисной пленки травлением в соляной кислоте. Сверху сосуд закрывается стальной крышкой с отверстиями, к которой крепится угольный анод - впрессованная в стальную обойму с сеткой масса из смеси активированной древесно-угольной пыли с раствором каучука в бензине (связующего) и парафина (антисмачивателя), соединенная с токоотводящим проводом. Между крышкой и анодом устанавливается картонная прокладка с отверстиями для поступления воздуха и по краям заливается битум. В элемент заливается концентрированный раствор щелочи с добавкой магнезиальной негашеной извести (для сгущения электролита в пасту). Такого типа элемент ВДЖ-400 имел при весе 5 кг среднее разрядное напряжение 0,65 В, емкость - 400А-час, удельную энергоемкость - 65 Вт-час/кг (113 Вт-час/дм³), срок годности до года.26 Могут быть изготовлены также элементы с алюминиевым катодом, угольным анодом, щелочным электролитом (раствор NaOH или KOH и NaCO3) на напряжение 1,4-1,5 В.27

Среди аккумуляторов наиболее доступны газовые. В крышке сосуда с 15%-ным раствором NaCl крепятся два угольных электрода, окруженные плотным слоем активированного угля толщиной 15-18 мм (обернутые тканью и т.д.). Напряжение - 4,5 В, для емкости в 1 А-час. нужно 50-65 г угля и 5-6 л электролита.28 Энергоемкость аккумулятора в 20-25 раз ниже свинцового. (Кроме того, требуется раз в неделю смена электролита), но для малых токов это не существенно. Для крупного энергоснабжения потребуются более эффективные, но и более сложные в изготовлении аккумуляторы - например, серно-натриевые.

Шведская фирма «Электросел» создала аккумулятор с электродом из спеченного железного порошка. Электролит - КОН, другой электрод - любой металл (медь и т.д.). Работает при 70°. Емкость - 0,35 кВт-час/кг железа.29

Применение гибридных интегральных схем (толсто- и тонкопленочных) в настоящее время в основном вызвано стремлением «индивидуализировать» микросхемы под определенного заказчика, которого не удовлетворяют монолитные микросхемы, выпускаемые крупными сериями. На них идет до 1/3 всех драгоценных металлов, потребляемых электроникой (для вжичных паст и т.д.). Эти схемы позволяют резко миниатюризовать электронную аппаратуру, что важно для некоторых специфических областей (военной, космической и т.д.). Последнее обстоятельство для САС существенного значения не имеет, а индивидуалирование микросхем можно достигнуть путем применения технологии прямого электроннолучевой литографии монолитных микросхем, что снимает необходимость прибегать к созданию гибридных схем.

Электровакуумные приборы в настоящее время вытеснены полупроводниковыми приборами практически из всех областей электроники кроме двух: 1) передачи зрительной информации в телевидении и на дисплеях ЭВМ с помощью электронно-лучевых трубок, 2) мощные усилители в радиолокаторах, радиостанциях и других средствах беспроволочной связи и коммуникаций. Так как последние две области электроники для САС мало характерны (в условиях безлюдного производства сокращается необходимость в зрительном представлении информации и т.д.), то можно допустить полную замену электровакуумных приборов полупроводниковыми. Для единичных случаев представления информации в виде изображения, на САС могут быть изготовлены твердотельные экраны по технологии полупроводниковых приборов.

Тоже самое касается буквенно-цифровых индикаторов, которые можно собрать, например, из кремниевых светодиодов.

Среди датчиков обратной связи (сельсинов, индуксинов, вращающихся трансформаторов и т.д.) наиболее технологичны в изготовлении потенциометры и фотоэлектрические датчики. Промышленность выпускает проволочные и пленочные потенциометры. Последние обладают более высоким разрешением, просты в изготовлении и поэтому наиболее предпочтительны для САС. Схема производства их следующая: на обезжиренную стеклянную подложку наносится резистивная пленка (из окиси олова, окиси родия и т.д.). Пленка полируется прокусом на полировальнике, искусственно старится при 400°С в печи (для стабилизации ее сопротивления), затем вырезается сектор и кольцо из пленки (возможно фотолитографическое травление), никелируются концы пленки и к ним привариваются выводы. После этого корректируется сопротивление резистивного слоя изменением ширины кольца электроискровым способом на специальной установке путем непрерывного сравнения с эталонным потенциометром. На окончательной сборке устанавливается токосъемник, защитный корпус. На САС изготовление пленочных потенциометров возможно только в случае применения сравнительно недефицитных резистивных пленок (например, из силицидов, керметов, нихрома и т.д.).30

Все операции могут быть выполнены на оборудовании других производств (установках вакуумного напыления, фотолитографии, травления, термообработки, ультразвуковой сварки, полировальных приспособлений к станкам). Исключение составляет установка корректировки сопротивления по эталону, которая может быть применена и для доводки постоянных резисторов.

Основными деталями фотоэлектрических датчиков являются светодиод, фотодиод и вращающийся между ними диск с прорезями. Особенности изготовления двух первых деталей рассмотрены ниже, а диск с прецизионными щелями несложно получить фотолитографическим травлением на оборудовании полупроводникового производства.

Специфическим объектом производства являются кварцевые кристаллы. Потребность в них небольшая (для генераторов частоты, фильтров и пьезодатчиков и т.д.) и составляет 5-10% от выпуска кремниевых монокристаллов.31 Синтетические кристаллы выращивают в автоклавах из насыщенных щелочных растворов при 300-500°, давлении - 50-300 МПа, в течение 1000-10000 часов (например, по технологии фирмы «Сойер Ресеч продэктс» из 0,83 мольного раствора Na2CO3 с 76%-ным заполнением автоклава при t°=350°, температурном перепаде в аппарате - 5-20°, давлении 844 кгс/см² синтез кварца длился 42 дня).32 Обычно автоклав представляет собой герметичный вертикальный толстостенный сосуд из низколегированной стали внутренним диаметром 30-60 см и более, с высотой равной 8-15 диаметрам, с толщиной стенок до 200-400 мм. Внутреннее пространство разделяется диафрагмой (перфорированным диском) на нижнюю камеру растворения, где размещаются в корзинах куски кварцевого сырья, и верхнюю камеру роста, где находятся на рамках специально ориентированные затравочные кварцевые пластинки. Камера растворения нагревается электронагревателями, а из камеры роста тепло отводится, создавая необходимый температурный градиент. Автоклав теплоизолируется и в нем поддерживается давление с точностью 0,5-1 МПа, температура - ± 0,5-2°С.33 Для больших давлений и температур внутреннюю полость автоклава футеруют (медью, титаном, серебром и т.д.).34 На САС целесообразно применить малогабаритный автоклав лабораторного типа (есть примеры автоклавов на давлении 1320-3340 кг/см³ диаметром 3 см, толщиной стенок 3 см и на давление 800 кг/см³ с диаметром 20 см, толщиной стенок - 5,2 см).34 Использование (в условиях САС) нефутерованного автоклава из углеродистой стали потребует увеличить толщину стенок, ограничит верхний предел нагрева до 380°С. Чтобы не допустить коррозии нефутерованного корпуса, синтез придется вести в низкоконцентрированных щелочных растворах.

Выращенный кристалл режется на блоки обычно алмазными дисками. На САС резка кварца может осуществляться полотнами с карбидокремниевой суспензией (аналогично резке кремниевых монокристаллов). Перед резкой, шлифовкой и другими последующими операциями определяют ориентацию плоскостей кристалла по осям X, Y, Z по фигурам астеризма (образующихся при просвечивании поворачиваемого кристалла двумя встречными точечными источниками света) и с помощью рентгенгоннометра. Первый способ прост, но дает только приблизительные результаты (с точностью 3-2°), поэтому в промышленности обязательно дополняется вторым. Чтобы отказаться от сложного рентгеновского оборудования, для САС должны быть разработаны более точные автоматизированные способы ориентации кристаллов оптическими способами на базе оптической установки ориентации кремниевых монокристаллов с использованием системы технического зрения. Шлифовка блоков ведется на планетарных и сверловочного типа станках. Последние наиболее просты для САС и состоят из приспособления в виде эксцентрика с поводком, на который крепится кассета с кристаллами, и двух шлифовальных шайб, установленных на столе станка. Эксцентрик крепится в шпинделе вертикально-сверлильного станка, при вращении которого кассета совершает круговые движения между верхней и нижней шлифовальной шайбами, установленными на столе станка. Верхняя шайба (весом до 3 кг) прижимает шлифуемые кристаллы своим весом. Шлифование ведут карбидокремниевой суспензией. На САС такое приспособление может быть установлено на любом обрабатывающем центре с вертикальным шпинделем. Последующая резка блоков на переходные блоки, затем на платы и пластики, потом на кристаллические элементы, дополняемая каждый раз ориентацией кристаллов по осям и шлифовкой, могут быть выполнены на описанном выше оборудовании. Для выявления дефектных структур проводится травление кристаллов в растворе HF и т.д. Окончательную доводку и полировку кристаллов ведут суспензией крокуса (Fe2O3) в дистиллированной воде на специальном станке. Конструкция станка отличается от шлифовального использованием вместо шлифовальных шайб двух чугунных притиров, нижний из которых имеет свой электропривод.35 Это дает основание для разработки доводочно-полировочного приспособления, аналогичного вышеприведенному шлифовальному устройству с установкой притиров на вращающийся стол металлообрабатывающего центра. Обрабатывающий центр с таким приспособлением должен обеспечить необходимую точность обработки. Для элементов диаметром 5 мм и толщиной 0,04 мм отклонение от параллельности поверхностей и разброс толщины элементов на должен превышать 0,5 мкм.35 После шлифовки контурных размеров, фасок, травления во фтористоводородной кислоте и контроля дефектов кристаллов, на них наносятся электроды вакуумным напылением, вжиганием пасты, гальваникой. Сейчас в промышленности для низкочастотных резонаторов электроды делают из никеля, а для высокочастотных - из золота и серебра. Однако рекомендуется также использовать алюминиевые электроды для высокочастотных элементов, что имеет принципиальное значение для САС.35 В условиях САС нанесение алюминиевых и никелевых электродов на кристалл удобнее осуществлять вакуумным напылением, что позволяет использовать установку полупроводникового производства. Затем проводится термообработка пьезоэлемента в печи и настройка его на нужную частоту путем изменения толщины и размеров электродов (травлением, электролизом, шлифовкой) и окончательная настройка термотренировкой в вакуумной камере (при 110° в течение 2 час.). Наиболее перспективна (в т.ч. и для САС) одностадийная настройка индивидуальной вакуумной металлизацией элемента.35 Для настройки необходим также технологический кварцевый генератор. К пьезоэлементу припаиваются или привариваются отводы, и он монтируется в кварцедержатель, состоящий из металлической платы (или выводов) со стеклянной изоляцией и каркаса с контактной пружиной для прижима элемента к выводам платы.35 Кварцедержатель делают из штампованных деталей из ковара, который на САС, видимо, может быть заменен железно-никелевыми сплавами (). Сварка и монтаж деталей может быть выполнен роботом и на установке приварки выводов микросхем при условии расширения ее технологических параметров.

Затем устанавливается кристаллодержатель с пьезоэлементом в стеклянный баллон или металлический корпус, которые после откачки воздуха (до 1,3 Па) завариваются (возможно применение установи герметизации реле описанной выше). Потом - длительные испытания готового изделия на термо-, вибро-, влагостойкость и его искусственное старение (5-45 суток).

Важное место в выпуске электронного оборудования на САС будут занимать запоминающие устройства на магнитных дисках и на магнитной ленте. Магнитная головка состоит из кольцеобразного сердечника из железоникелевого сплава (пермаллоя) или феррита (у стирающей головки - из электротехнической стали) с зазором в несколько микрон, и двух обмоток из провода Ø 0,05...0,08 мм. Головки изготавливают подетально или по интегральной тонкопленочной технологии. Последняя получила сейчас наибольшее распространение, т.к. обеспечивает минимальные размеры и максимальную плотность записи. Тонкопленочная технология наиболее приемлема и для САС. т.к. исключает сборочные операции и позволяет использовать оборудование полупроводникового производства. По ней на немагнитную подложку напыляют ферромагнитный сердечник (из пермаллоя и т.д.) и одновитковую обмотку (из меди и т.д.),30, используя также операции фотолитографии и травления.

Заготовки жестких магнитных дисков (Ø 133 мм и более и толщиной 2-1,6 мм) получают из алюминиевых заготовок (сплав Д16МП) толщиной 2,6-3,5 мм вырубкой штампов или вырезанием на токарном станке. После обезжиривания, промывки и сушки заготовки терморихтуются для снятия внутренних напряжений и устранения неплоскостности в электропечи (при постепенном нагреве в течение 10 час. до 400-420°, выдержке - 3 час., и охлаждении в течение 20 час. Для этого они укладываются в пакеты между плитами по направляющим штифтам. После этой операции плоскостность заготовки не должна превышать 1 мкм. Затем проводится токарная обработка диска в патроне-планшайбе с вакуумным прижимом. На станке обрабатываются внутренний и наружный диаметр диска, затем торцевые поверхности - алмазным резцом (с глубиной резания - 10-30 мкм, подачей - 0,08-0,18 мм/об. при 900-1400 об./мин.).36 Для надежной работы с высокой плотностью записи шероховатость поверхности диска должна быть Rа<0,04 мкм, торцевое биение диска при 40 об./сек. £0,3 мм, удельная неплоскостность - 1,5 мкм на 20 мм длины. После достижения этих параметров на диск наносится ферромагнитный лак (поливом с последующим центрифугированием), и он сушится.

При формировании пакета дисков (2-20 шт) диски устанавливаются на коническую ступицу и крепятся в пакете кольцами при помощи стягивающих болтов. Затем на универсальном балансировочном станке пакеты уравновешиваются с точностью до кг×м остаточной неуравновешенности и проводится электрический контроль записи информации.

Ферролак состоит из 75-80% магнитного порошка (гамма-оксида железа, ферро-кобальта (95-80% Fe2O3, 5-20% CoO3) или CrO2), 12-14% связующего (нитроколлодия в ацетоне и спирте и т.д.), пластификатора (касторовой масло и др.).36 Железный порошок в 3.3 раза имеет меньшую информационную емкость, чем кобальтированный (2,6 кбайт/см² против 8,6 кбайт/см² для гибких дисков), но предпочтительнее для САС, т.к. не содержит дефицитных материалов.

Производство магнитного порошка гамма-оксида железа осуществляется по двух- или одностадийному способу. По первому способу из раствора сульфата железа осаждают Fe(OH)2 10%-ным раствором NH3. Затем окисляют Fe(OH)2 в гетит, барботируя через раствор воздух при t°=42° и рН=5¸6, потом выдерживают суспензию 1 час. при рН=7,5-8,5, отфильтровывают и сушат при 200°. По другому способу в реакторе мешалкой в среде азота осаждают Fe(OH)2 из раствора сульфата железа раствором КОН при 45° и рН=13-14. Затем вместо азота подают воздух и окисляют в гетит. Чтобы при дальнейшей термообработке частицы не слипались, к суспензии добавляют немного стеариновой кислоты. Далее гетит фильтруют, отмывают водой и сушат, получая частицы размером 0,5-0,6 мкм.

Следующий этап - превращение гетита дегидратацией в гематит и восстановление последнего до магнетита (все в одну стадию). В герметичном аппарате из жаропрочной стали, вращаемом с частотой 5 об./мин., гетит нагревают до 400-600° в атмосфере водорода в течение 6-7 час. Потом полученный магнетит окисляют в гамма- Fe2О3, пропуская воздух через вращаемый аппарат при 210° в течение 1-2 час.

На САС в целях упрощения аппаратурного оформления процесса получения магнетита и окисления его, видимо, можно осуществить в трубчатой кварцевой или керамической печи химических производств без вращения с последующей классификацией спекшихся зерен или использовать вибратор, приложенный к стене трубки печи (например, от виброобработки сварных и литых деталей).

Возможно более технологичным для САС будет получение в качестве магнитного носителя железного порошка электролизом раствора FeCl2 на вращающемся графитовом (стальном) электроде с залитым сверху электролита органическим ПАВ (олеиновой кислоты и т.д.), в которое диспергируются железные частицы Ø 0,2-0,5 мкм, имеющие коэрцитивную силу - 24-120 кА/м.

Связующим используют растворенные в соответствующих растворителях нитроколлодий, сополимеры поливинилхлорида с винилацетатом, виниловым спиртом, винилиденхлоридом, хлорированный поливинилхлорид.

В качестве пластификаторов для синтетических связующих (т.е. всех кроме нитриколлодия) применяются обычно диметил- и дибутилфталаты, получаемые этерификацией фталевого ангидрида метанолом или бутанолом.37

Принципиальное упрощение для САС технологии создания магнитного слоя несет разработанный за рубежом способ нанесения тонких пленок на магнитные диски методом реакционного напыления. По косвенному способу мишень из сплавов железа распыляется в атмосфере кислорода с образованием пленки a-Fe2O3, затем восстановлением водородом получается пленка Fe3O4, а после термоокисления -c-Fe2O3. По прямому способу опускается стадия водородного восстановления. Полученный слой покрывается защитной пленкой толщиной 0,1 мкм. По этой технологии достигнута плотность записи - 24000 бит/мм² при применении плавающей головки с зазором 0,2 мкм. По ней был изготовлен накопитель емкостью 3,2 Гбайт с 8 дисками по 400 Мбайт.38 На САС все операции по созданию магнитного слоя на диске могли бы быть выполнены в одной камере установки вакуумного напыления (из оборудования полупроводникового производства).

Другим перспективным для САС направлением является нанесение металлических магнитных пленок (из железа и др.) вакуумным напылением или гальванически. Например, созданы жесткие диски с 40 чередующимися ультратонкими слоями железа и хрома емкостью записи - 1,5 Гбит/см² площади.39

Важной частью технологии производства электронного оборудования является сборка электронных компонентов в готовые изделия. На нее приходится 1/3 трудоемкости изготовления электронной аппаратуры в промышленности. Примерное соотношение между отдельными этапами и видами работ (по трудоемкости) в процессе сборки следующее (в т.ч. удельный вес работ в настоящее время механизированных и автоматизированных): а) сборка и монтаж электронных модулей I уровня (печатных плат и т.д.) -52%, в т.ч. подготовка дискретных компонентов - 7% (90%), подготовка интегральных схем - 2% (98%), установка интегральных схем - 5% (20%), пайка и отмывка - 20% (70%); б) электромонтаж электронных модулей II и III уровня(функциональных блоков и законченных изделий) - 48%, в т.ч. подготовка проводов - 5% (85%), подготовка радиочастотных кабелей - 1% (60%), сборка жгутов - 15% (30%), монтаж проводов пайкой - 23% (6%), монтаж проводов непаяными методами - 4% (95%).40

Монтаж электронных компонентов (I уровень сборочных работ) может осуществляться 2-мя способами: 1) печатным монтажом и 2) с помощью проводов. Первый способ является в промышленности преобладающим, т.к. менее трудоемок. Но для него необходимы печатные платы, изготавливаемые многооперационными методами, оправданными только в условиях крупносерийного и массового производства. Кроме того, он имеет ограниченную плотность монтажа и рассчитан только на соединение компонентов методами пайки. Проводной способ в основном применяется в условиях опытного, индивидуального и мелкосерийного производства. По сравнению с печатным монтажом он не требует специального оборудования и оснастки (фотошаблонов и т.д.) для изготовления печатных плат, повышает плотность монтажа из-за возможности многократного перекрещивания проводов на одной поверхности (что позволяет отказаться от многослойных печатных плат), упрощает трассировку для сложных микросхем (БИС, СБИС), сокращает цикл производства. Кроме того, этот способ позволяет применить вместо пайки сварку для создания неразъемных соединений повышенной надежности. Последнее обстоятельство особенно важно для САС, т.к. позволяет не только отказаться от дефицитных припоев, но создает принципиальную возможность осуществления монтажа с помощью алюминиевых проводов, взамен медных. Наконец, и экономически он выгоднее в индивидуальном и мелкосерийном производстве. Так, например, по зарубежным источникам стоимость одной объединенной панели, содержащей 1800 соединений контактов различных компонентов, будет стоить при печатном монтаже 470,5 ф. ст., при проводном монтаже с ручной накруткой - 136,5 ф. ст и при проводном монтаже с накруткой на полуавтомате - 226,5 ф. ст. или соответственно в 3,5 и 2 раза дешевле. Печатный же монтаж (с пайкой волной) становится выгодным только при серийности 5 и более панелей.42

Таким образом, в условиях САС наиболее целесообразно применять проводной монтаж электронной аппаратуры.. Существуют различные варианты проводного монтажа - стежковый, многопроводный с фиксированием провода клеем, монтаж незакрепленными проводами и т.д. Один из возможных вариантов малооперационного монтажа, ориентированного на использование алюминиевого провода - сверление в нефольгированной плате (пластмассовой основе) отверстий, установка в них выводов электронных компонентов, переворачивание платы, прокладка с обратной стороны провода с одновременной ультразвуковой приваркой его к выходящим выводам компонентов. После этого покрытие платы полимерным составом, герметизирующим и фиксирующим провода, соединения и компоненты. В настоящее время создано автоматизированное оборудование с ЧПУ для раскладки монтажного провода с высокой скоростью (до 5 м/мин.) и точностью (с дискретность 0,3125 мм) на платах размером до 500х600 мм. Производительность такого станка


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



Сейчас читают про: